Справочник MOSFET. STW65N80K5

 

STW65N80K5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STW65N80K5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 446 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для STW65N80K5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW65N80K5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:707K  st
 stw65n80k5.pdf pdf_icon

STW65N80K5

STW65N80K5 N-channel 800 V, 0.07 typ., 46 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTSTW65N80K5 800 V 0.08 46 A 446 W Industrys lowest R x area DS(on) Industrys best figure of merit (FoM) 3 Ultra low gate charge 2 100% avalanche tested 1 Zener-protected

 8.1. Size:389K  st
 stw65n65dm2ag.pdf pdf_icon

STW65N80K5

STW65N65DM2AG Automotive-grade N-channel 650 V, 0.042 typ., 60 A Power MOSFET MDmesh DM2 in a TO-247 package Datasheet - production data Features R DS(on)Order code V I P DS D TOTmax. STW65N65DM2AG 650 V 0.05 60 A 446 W Designed for automotive applications and 3AEC-Q101 qualified 2 Fast-recovery body diode 1 Extremely low gate charge and inpu

Другие MOSFET... STW45N60DM6 , STW48N60DM2 , STW48N60M6 , STW48N60M6-4 , STW50N65DM2AG , STW56N65DM2 , STW63N65DM2 , STW65N65DM2AG , IRF1404 , STW70N60DM2 , STW70N60DM6-4 , STW70N65M2 , STW74NF30 , STW75N60M6 , STW8N120K5 , STW9N80K5 , STWA20N95DK5 .

History: FQP18N20V2 | AOY2610E | KRlML2402 | ME4454-G | SHD225512 | AON6710 | BLP032N06-Q

 

 
Back to Top

 


 
.