STW75N60M6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STW75N60M6
Código: 75N60M6
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 446 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 72 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.75 V
Carga de la puerta (Qg): 106 nC
Tiempo de subida (tr): 38 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 380 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.036 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STW75N60M6
STW75N60M6 Datasheet (PDF)
stw75n60m6.pdf
STW75N60M6DatasheetN-channel 600 V, 32 m typ., 72 A, MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247 packageFeaturesVDS RDS(on) max. IDOrder codeSTW75N60M6 600 V 36 m 72 A Reduced switching losses3 Lower RDS(on) per area vs previous generation21 Low gate input resistance 100% avalanche testedTO-247 Zener-protectedD(2, TAB)Applications Switchin
stb75n20 stp75n20 stw75n20.pdf
STB75N20STP75N20 - STW75N20N-channel 200V - 0.028 - 75A - D2PAK - TO-220 - TO-247Low gate charge STripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB75N20 200V
stb75nf20 stp75nf20 stw75nf20.pdf
STB75NF20STP75NF20 - STW75NF20N-channel 200V - 0.028 - 75A - D2PAK - TO-220 - TO-247Low gate charge STripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB75NF20 200V
stw75nf30.pdf
STW75NF30N-channel 300 V, 0.037 , 60 A, TO-247low gate charge STripFET Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID pWmaxSTW75NF30 300 V
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