Справочник MOSFET. STW75N60M6

 

STW75N60M6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STW75N60M6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 446 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 72 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для STW75N60M6

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW75N60M6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:535K  st
 stw75n60m6.pdf pdf_icon

STW75N60M6

STW75N60M6DatasheetN-channel 600 V, 32 m typ., 72 A, MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247 packageFeaturesVDS RDS(on) max. IDOrder codeSTW75N60M6 600 V 36 m 72 A Reduced switching losses3 Lower RDS(on) per area vs previous generation21 Low gate input resistance 100% avalanche testedTO-247 Zener-protectedD(2, TAB)Applications Switchin

 8.1. Size:398K  1
 sth75n06 sth75n06fi stw75n06.pdf pdf_icon

STW75N60M6

 8.2. Size:398K  st
 stw75n06.pdf pdf_icon

STW75N60M6

 8.3. Size:517K  st
 stb75n20 stp75n20 stw75n20.pdf pdf_icon

STW75N60M6

STB75N20STP75N20 - STW75N20N-channel 200V - 0.028 - 75A - D2PAK - TO-220 - TO-247Low gate charge STripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB75N20 200V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STW56N65DM2 , STW63N65DM2 , STW65N65DM2AG , STW65N80K5 , STW70N60DM2 , STW70N60DM6-4 , STW70N65M2 , STW74NF30 , IRF3710 , STW8N120K5 , STW9N80K5 , STWA20N95DK5 , STWA40N90K5 , STWA48N60DM2 , STWA48N60M2 , VQ1000J , VQ1000P .

History: HGP059N08A | STD100N03LT4

 

 
Back to Top

 


 
.