STW75N60M6 - описание и поиск аналогов

 

STW75N60M6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STW75N60M6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 446 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 72 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для STW75N60M6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW75N60M6 даташит

 ..1. Size:535K  st
 stw75n60m6.pdf pdf_icon

STW75N60M6

STW75N60M6 Datasheet N-channel 600 V, 32 m typ., 72 A, MDmesh M6 Power MOSFET in a TO 247 package Features VDS RDS(on) max. ID Order code STW75N60M6 600 V 36 m 72 A Reduced switching losses 3 Lower RDS(on) per area vs previous generation 2 1 Low gate input resistance 100% avalanche tested TO-247 Zener-protected D(2, TAB) Applications Switchin

 8.1. Size:398K  1
 sth75n06 sth75n06fi stw75n06.pdf pdf_icon

STW75N60M6

 8.2. Size:398K  st
 stw75n06.pdf pdf_icon

STW75N60M6

 8.3. Size:517K  st
 stb75n20 stp75n20 stw75n20.pdf pdf_icon

STW75N60M6

STB75N20 STP75N20 - STW75N20 N-channel 200V - 0.028 - 75A - D2PAK - TO-220 - TO-247 Low gate charge STripFET Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB75N20 200V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STW56N65DM2 , STW63N65DM2 , STW65N65DM2AG , STW65N80K5 , STW70N60DM2 , STW70N60DM6-4 , STW70N65M2 , STW74NF30 , AO3400 , STW8N120K5 , STW9N80K5 , STWA20N95DK5 , STWA40N90K5 , STWA48N60DM2 , STWA48N60M2 , VQ1000J , VQ1000P .

History: JCS10N70C | 3N70G-TN3-R | IRF8910 | IRF8513

 

 

 

 

↑ Back to Top
.