STW8N120K5 Todos los transistores

 

STW8N120K5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STW8N120K5
   Código: 8N120K5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 13.7 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 44 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

 Búsqueda de reemplazo de STW8N120K5 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

STW8N120K5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:274K  st
 stw8n120k5.pdf pdf_icon

STW8N120K5

STW8N120K5DatasheetN-channel 1200 V, 1.65 typ., 6 A, MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 packageFeaturesVDS RDS(on) max. ID PTOTOrder codeSTW8N120K5 1200 V 2.00 6 A 130 W Industrys lowest RDS(on) x area3 Industrys best FoM (figure of merit)21 Ultra-low gate charge 100% avalanche testedTO-247 Zener-protectedD(2)Applications Switc

 9.1. Size:406K  1
 sth8n80 sth8n80fi stw8n80.pdf pdf_icon

STW8N120K5

 9.2. Size:267K  st
 stw8nc90z.pdf pdf_icon

STW8N120K5

STW8NC90ZN-CHANNEL 900V - 1.1 - 7.6A TO-247Zener-Protected PowerMESHIII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW8NC90Z 900 V

 9.3. Size:175K  st
 stw8nb100.pdf pdf_icon

STW8N120K5

STW8NB100N-CHANNEL 1000V - 1.3 - 7.3ATO-247PowerMesh MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW8NB100 1000V

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... STW63N65DM2 , STW65N65DM2AG , STW65N80K5 , STW70N60DM2 , STW70N60DM6-4 , STW70N65M2 , STW74NF30 , STW75N60M6 , AON6414A , STW9N80K5 , STWA20N95DK5 , STWA40N90K5 , STWA48N60DM2 , STWA48N60M2 , VQ1000J , VQ1000P , IRF830L .

 

 
Back to Top

 


 
.