STW8N120K5 Todos los transistores

 

STW8N120K5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STW8N120K5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 44 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm

Encapsulados: TO247

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STW8N120K5 datasheet

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STW8N120K5

STW8N120K5 Datasheet N-channel 1200 V, 1.65 typ., 6 A, MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package Features VDS RDS(on) max. ID PTOT Order code STW8N120K5 1200 V 2.00 6 A 130 W Industry s lowest RDS(on) x area 3 Industry s best FoM (figure of merit) 2 1 Ultra-low gate charge 100% avalanche tested TO-247 Zener-protected D(2) Applications Switc

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STW8N120K5

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STW8N120K5

STW8NC90Z N-CHANNEL 900V - 1.1 - 7.6A TO-247 Zener-Protected PowerMESH III MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STW8NC90Z 900 V

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stw8nb100.pdf pdf_icon

STW8N120K5

STW8NB100 N-CHANNEL 1000V - 1.3 - 7.3ATO-247 PowerMesh MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STW8NB100 1000V

Otros transistores... STW63N65DM2 , STW65N65DM2AG , STW65N80K5 , STW70N60DM2 , STW70N60DM6-4 , STW70N65M2 , STW74NF30 , STW75N60M6 , IRFB4227 , STW9N80K5 , STWA20N95DK5 , STWA40N90K5 , STWA48N60DM2 , STWA48N60M2 , VQ1000J , VQ1000P , IRF830L .

History: WMN36N65C4 | BFW11 | VS5814DS | WSF09N20 | SGM0410 | WSF20N06 | WMK90R260S

 

 

 

 

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