Справочник MOSFET. STW8N120K5

 

STW8N120K5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STW8N120K5
   Маркировка: 8N120K5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 13.7 nC
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 44 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: TO247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STW8N120K5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:274K  st
stw8n120k5.pdfpdf_icon

STW8N120K5

STW8N120K5DatasheetN-channel 1200 V, 1.65 typ., 6 A, MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 packageFeaturesVDS RDS(on) max. ID PTOTOrder codeSTW8N120K5 1200 V 2.00 6 A 130 W Industrys lowest RDS(on) x area3 Industrys best FoM (figure of merit)21 Ultra-low gate charge 100% avalanche testedTO-247 Zener-protectedD(2)Applications Switc

 9.1. Size:406K  1
sth8n80 sth8n80fi stw8n80.pdfpdf_icon

STW8N120K5

 9.2. Size:267K  st
stw8nc90z.pdfpdf_icon

STW8N120K5

STW8NC90ZN-CHANNEL 900V - 1.1 - 7.6A TO-247Zener-Protected PowerMESHIII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW8NC90Z 900 V

 9.3. Size:175K  st
stw8nb100.pdfpdf_icon

STW8N120K5

STW8NB100N-CHANNEL 1000V - 1.3 - 7.3ATO-247PowerMesh MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW8NB100 1000V

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SWD10N70K | FMV12N50ES | PMBFJ310 | ATP404 | IRLS3036-7P | AONS66614 | AONS66908

 

 
Back to Top

 


 
.