STW8N120K5 - описание и поиск аналогов

 

Аналоги STW8N120K5. Основные параметры


   Наименование производителя: STW8N120K5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 44 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для STW8N120K5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW8N120K5 даташит

 ..1. Size:274K  st
stw8n120k5.pdfpdf_icon

STW8N120K5

STW8N120K5 Datasheet N-channel 1200 V, 1.65 typ., 6 A, MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package Features VDS RDS(on) max. ID PTOT Order code STW8N120K5 1200 V 2.00 6 A 130 W Industry s lowest RDS(on) x area 3 Industry s best FoM (figure of merit) 2 1 Ultra-low gate charge 100% avalanche tested TO-247 Zener-protected D(2) Applications Switc

 9.1. Size:406K  1
sth8n80 sth8n80fi stw8n80.pdfpdf_icon

STW8N120K5

 9.2. Size:267K  st
stw8nc90z.pdfpdf_icon

STW8N120K5

STW8NC90Z N-CHANNEL 900V - 1.1 - 7.6A TO-247 Zener-Protected PowerMESH III MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STW8NC90Z 900 V

 9.3. Size:175K  st
stw8nb100.pdfpdf_icon

STW8N120K5

STW8NB100 N-CHANNEL 1000V - 1.3 - 7.3ATO-247 PowerMesh MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STW8NB100 1000V

Другие MOSFET... STW63N65DM2 , STW65N65DM2AG , STW65N80K5 , STW70N60DM2 , STW70N60DM6-4 , STW70N65M2 , STW74NF30 , STW75N60M6 , IRFB4227 , STW9N80K5 , STWA20N95DK5 , STWA40N90K5 , STWA48N60DM2 , STWA48N60M2 , VQ1000J , VQ1000P , IRF830L .

History: BLF6G20-230PRN

 

 

 


 
↑ Back to Top
.