Справочник MOSFET. STW8N120K5

 

STW8N120K5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STW8N120K5
   Маркировка: 8N120K5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 13.7 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 44 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW8N120K5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:274K  st
stw8n120k5.pdfpdf_icon

STW8N120K5

STW8N120K5DatasheetN-channel 1200 V, 1.65 typ., 6 A, MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 packageFeaturesVDS RDS(on) max. ID PTOTOrder codeSTW8N120K5 1200 V 2.00 6 A 130 W Industrys lowest RDS(on) x area3 Industrys best FoM (figure of merit)21 Ultra-low gate charge 100% avalanche testedTO-247 Zener-protectedD(2)Applications Switc

 9.1. Size:406K  1
sth8n80 sth8n80fi stw8n80.pdfpdf_icon

STW8N120K5

 9.2. Size:267K  st
stw8nc90z.pdfpdf_icon

STW8N120K5

STW8NC90ZN-CHANNEL 900V - 1.1 - 7.6A TO-247Zener-Protected PowerMESHIII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW8NC90Z 900 V

 9.3. Size:175K  st
stw8nb100.pdfpdf_icon

STW8N120K5

STW8NB100N-CHANNEL 1000V - 1.3 - 7.3ATO-247PowerMesh MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW8NB100 1000V

Другие MOSFET... STW63N65DM2 , STW65N65DM2AG , STW65N80K5 , STW70N60DM2 , STW70N60DM6-4 , STW70N65M2 , STW74NF30 , STW75N60M6 , AON6414A , STW9N80K5 , STWA20N95DK5 , STWA40N90K5 , STWA48N60DM2 , STWA48N60M2 , VQ1000J , VQ1000P , IRF830L .

 

 
Back to Top

 


 
.