STW8N120K5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STW8N120K5
Маркировка: 8N120K5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 13.7 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 44 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
Тип корпуса: TO247
STW8N120K5 Datasheet (PDF)
stw8n120k5.pdf

STW8N120K5DatasheetN-channel 1200 V, 1.65 typ., 6 A, MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 packageFeaturesVDS RDS(on) max. ID PTOTOrder codeSTW8N120K5 1200 V 2.00 6 A 130 W Industrys lowest RDS(on) x area3 Industrys best FoM (figure of merit)21 Ultra-low gate charge 100% avalanche testedTO-247 Zener-protectedD(2)Applications Switc
stw8nc90z.pdf

STW8NC90ZN-CHANNEL 900V - 1.1 - 7.6A TO-247Zener-Protected PowerMESHIII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW8NC90Z 900 V
stw8nb100.pdf

STW8NB100N-CHANNEL 1000V - 1.3 - 7.3ATO-247PowerMesh MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW8NB100 1000V
Другие MOSFET... STW63N65DM2 , STW65N65DM2AG , STW65N80K5 , STW70N60DM2 , STW70N60DM6-4 , STW70N65M2 , STW74NF30 , STW75N60M6 , AON6414A , STW9N80K5 , STWA20N95DK5 , STWA40N90K5 , STWA48N60DM2 , STWA48N60M2 , VQ1000J , VQ1000P , IRF830L .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMH65R430ACFP | JMH65R400MPLNFD | JMH65R400MKFD | JMH65R400MFFD | JMH65R360PK | JMH65R360PF | JMH65R360MK | JMH65R360MF | JMH65R360AK | JMH65R360AF | JMH65R290APLN | JMH65R290AF | JMH65R290AEFDQ | JMH65R290AE | JMH65R290ACFP | JMSH1003TTL
Popular searches
bdw94c | bd140 transistor | 2n2222a datasheet | bd136 | tl431 datasheet | 2sd526 | 2n4403 transistor equivalent | 2sc1318