VQ1000J Todos los transistores

 

VQ1000J MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VQ1000J

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.225 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

tonⓘ - Tiempo de encendido: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 11 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5.5 Ohm

Encapsulados: DIP-14

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VQ1000J datasheet

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VQ1000J

2N7000/2N7002, VQ1000J/P, BS170 Vishay Siliconix N-Channel 60-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Part Number V(BR)DSS Min (V) rDS(on) Max (W) VGS(th) (V) ID (A) 5 @ VGS = 10 V 0.8 to 3 0.2 2N7000 2N7002 7.5 @ VGS = 10 V 1 to 2.5 0.115 60 VQ1000J 5.5 @ VGS = 10 V 0.8 to 2.5 0.225 VQ1000P 5.5 @ VGS = 10 V 0.8 to 2.5 0.225 BS170 5 @ VGS = 10 V 0.8 to 3 0.5 FEATURES BENEFITS APPLICATIONS D

 0.1. Size:58K  vishay
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VQ1000J

2N7000/2N7002, VQ1000J/P, BS170 Vishay Siliconix N-Channel 60-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Part Number V(BR)DSS Min (V) rDS(on) Max (W) VGS(th) (V) ID (A) 5 @ VGS = 10 V 0.8 to 3 0.2 2N7000 2N7002 7.5 @ VGS = 10 V 1 to 2.5 0.115 60 VQ1000J 5.5 @ VGS = 10 V 0.8 to 2.5 0.225 VQ1000P 5.5 @ VGS = 10 V 0.8 to 2.5 0.225 BS170 5 @ VGS = 10 V 0.8 to 3 0.5 FEATURES BENEFITS APPLICATIONS D

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VQ1000J

VN0808L/LS, VQ1006P Vishay Siliconix N-Channel 80- and 90-V (D-S) MOSFETs PRODUCT SUMMARY Part Number V(BR)DSS Min (V) rDS(on) Max (W) VGS(th) (V) ID (A) VN0808L 4 @ VGS = 10 V 0.8 to 2 0.3 80 VN0808LS 4 @ VGS = 10 V 0.8 to 2 0.33 VQ1006P 90 4 @ VGS = 10 V 0.8 to 2.5 0.4 FEATURES BENEFITS APPLICATIONS D Low On-Resistance 3.6 W D Low Offset Voltage D Direct Logic-Level Interface TTL/

 9.2. Size:46K  vishay
 vq1001jp.pdf pdf_icon

VQ1000J

VQ1001J/P Vishay Siliconix Quad N-Channel 30-V (D-S) MOSFETs PRODUCT SUMMARY Part Number V(BR)DSS Min (V) rDS(on) Max (W) VGS(th) (V) ID (A) 1 @ VGS = 12 V 0.8 to 2.5 0.83 VQ1001J 30 VQ1001P 1 @ VGS = 12 V 0.8 to 2.5 0.53 FEATURES BENEFITS APPLICATIONS D Low On-Resistance 0.85 W D Low Offset Voltage D Direct Logic-Level Interface TTL/CMOS D Low Threshold 1.4 V D Low-Voltage Operat

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History: WMK07N65C4 | WMJ25N80M3 | WMJ25N65EM | WMF05N70MM | SI2304 | WMK08N70C4 | WSD3095DN56

 

 

 

 

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