VQ1000J. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: VQ1000J
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.225 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
ton ⓘ - Время включения: 7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 11 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.5 Ohm
Тип корпуса: DIP-14
Аналог (замена) для VQ1000J
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
VQ1000J даташит
2n7000 2n7002 vq1000j vq1000p bs170.pdf
2N7000/2N7002, VQ1000J/P, BS170 Vishay Siliconix N-Channel 60-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Part Number V(BR)DSS Min (V) rDS(on) Max (W) VGS(th) (V) ID (A) 5 @ VGS = 10 V 0.8 to 3 0.2 2N7000 2N7002 7.5 @ VGS = 10 V 1 to 2.5 0.115 60 VQ1000J 5.5 @ VGS = 10 V 0.8 to 2.5 0.225 VQ1000P 5.5 @ VGS = 10 V 0.8 to 2.5 0.225 BS170 5 @ VGS = 10 V 0.8 to 3 0.5 FEATURES BENEFITS APPLICATIONS D
2n7000 2n7002 vq1000j-p bs170.pdf
2N7000/2N7002, VQ1000J/P, BS170 Vishay Siliconix N-Channel 60-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Part Number V(BR)DSS Min (V) rDS(on) Max (W) VGS(th) (V) ID (A) 5 @ VGS = 10 V 0.8 to 3 0.2 2N7000 2N7002 7.5 @ VGS = 10 V 1 to 2.5 0.115 60 VQ1000J 5.5 @ VGS = 10 V 0.8 to 2.5 0.225 VQ1000P 5.5 @ VGS = 10 V 0.8 to 2.5 0.225 BS170 5 @ VGS = 10 V 0.8 to 3 0.5 FEATURES BENEFITS APPLICATIONS D
vn0808l-ls vq1006p.pdf
VN0808L/LS, VQ1006P Vishay Siliconix N-Channel 80- and 90-V (D-S) MOSFETs PRODUCT SUMMARY Part Number V(BR)DSS Min (V) rDS(on) Max (W) VGS(th) (V) ID (A) VN0808L 4 @ VGS = 10 V 0.8 to 2 0.3 80 VN0808LS 4 @ VGS = 10 V 0.8 to 2 0.33 VQ1006P 90 4 @ VGS = 10 V 0.8 to 2.5 0.4 FEATURES BENEFITS APPLICATIONS D Low On-Resistance 3.6 W D Low Offset Voltage D Direct Logic-Level Interface TTL/
vq1001jp.pdf
VQ1001J/P Vishay Siliconix Quad N-Channel 30-V (D-S) MOSFETs PRODUCT SUMMARY Part Number V(BR)DSS Min (V) rDS(on) Max (W) VGS(th) (V) ID (A) 1 @ VGS = 12 V 0.8 to 2.5 0.83 VQ1001J 30 VQ1001P 1 @ VGS = 12 V 0.8 to 2.5 0.53 FEATURES BENEFITS APPLICATIONS D Low On-Resistance 0.85 W D Low Offset Voltage D Direct Logic-Level Interface TTL/CMOS D Low Threshold 1.4 V D Low-Voltage Operat
Другие MOSFET... STW74NF30 , STW75N60M6 , STW8N120K5 , STW9N80K5 , STWA20N95DK5 , STWA40N90K5 , STWA48N60DM2 , STWA48N60M2 , P55NF06 , VQ1000P , IRF830L , IRF840AL , SIHFB20N50K , IRFD113 , SIHFP450 , SIHFP460 , SIHFP460A .
History: 2SK4151 | STP7NA40
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
2n4403 transistor equivalent | 2sc1318 | 2n3055 transistor equivalent | 2sc1740 | c3229 | c2078 transistor | 2sc458 transistors | 2sa992




