VQ1000J - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: VQ1000J
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.225 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
ton ⓘ - Время включения: 7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 11 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.5 Ohm
Тип корпуса: DIP-14
Аналог (замена) для VQ1000J
VQ1000J Datasheet (PDF)
2n7000 2n7002 vq1000j vq1000p bs170.pdf
2N7000/2N7002, VQ1000J/P, BS170Vishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYPart Number V(BR)DSS Min (V) rDS(on) Max (W) VGS(th) (V) ID (A)5 @ VGS = 10 V 0.8 to 3 0.22N70002N7002 7.5 @ VGS = 10 V 1 to 2.5 0.11560VQ1000J 5.5 @ VGS = 10 V 0.8 to 2.5 0.225VQ1000P 5.5 @ VGS = 10 V 0.8 to 2.5 0.225BS170 5 @ VGS = 10 V 0.8 to 3 0.5FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD
2n7000 2n7002 vq1000j-p bs170.pdf
2N7000/2N7002, VQ1000J/P, BS170Vishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYPart Number V(BR)DSS Min (V) rDS(on) Max (W) VGS(th) (V) ID (A)5 @ VGS = 10 V 0.8 to 3 0.22N70002N7002 7.5 @ VGS = 10 V 1 to 2.5 0.11560VQ1000J 5.5 @ VGS = 10 V 0.8 to 2.5 0.225VQ1000P 5.5 @ VGS = 10 V 0.8 to 2.5 0.225BS170 5 @ VGS = 10 V 0.8 to 3 0.5FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD
vn0808l-ls vq1006p.pdf
VN0808L/LS, VQ1006PVishay SiliconixN-Channel 80- and 90-V (D-S) MOSFETsPRODUCT SUMMARYPart Number V(BR)DSS Min (V) rDS(on) Max (W) VGS(th) (V) ID (A)VN0808L 4 @ VGS = 10 V 0.8 to 2 0.380VN0808LS 4 @ VGS = 10 V 0.8 to 2 0.33VQ1006P 90 4 @ VGS = 10 V 0.8 to 2.5 0.4FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD Low On-Resistance: 3.6 W D Low Offset Voltage D Direct Logic-Level Interface: TTL/
vq1001jp.pdf
VQ1001J/PVishay SiliconixQuad N-Channel 30-V (D-S) MOSFETsPRODUCT SUMMARYPart Number V(BR)DSS Min (V) rDS(on) Max (W) VGS(th) (V) ID (A)1 @ VGS = 12 V 0.8 to 2.5 0.83VQ1001J30VQ1001P 1 @ VGS = 12 V 0.8 to 2.5 0.53FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD Low On-Resistance: 0.85 W D Low Offset Voltage D Direct Logic-Level Interface: TTL/CMOSD Low Threshold: 1.4 V D Low-Voltage Operat
Другие MOSFET... STW74NF30 , STW75N60M6 , STW8N120K5 , STW9N80K5 , STWA20N95DK5 , STWA40N90K5 , STWA48N60DM2 , STWA48N60M2 , P55NF06 , VQ1000P , IRF830L , IRF840AL , SIHFB20N50K , IRFD113 , SIHFP450 , SIHFP460 , SIHFP460A .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
2n4403 transistor equivalent | 2sc1318 | 2n3055 transistor equivalent | 2sc1740 | c3229 | c2078 transistor | 2sc458 transistors | 2sa992





