VQ1000P Todos los transistores

 

VQ1000P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VQ1000P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.225 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   tonⓘ - Tiempo de encendido: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 11 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: DIP-14
 

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VQ1000P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:58K  vishay
 2n7000 2n7002 vq1000j vq1000p bs170.pdf pdf_icon

VQ1000P

2N7000/2N7002, VQ1000J/P, BS170Vishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYPart Number V(BR)DSS Min (V) rDS(on) Max (W) VGS(th) (V) ID (A)5 @ VGS = 10 V 0.8 to 3 0.22N70002N7002 7.5 @ VGS = 10 V 1 to 2.5 0.11560VQ1000J 5.5 @ VGS = 10 V 0.8 to 2.5 0.225VQ1000P 5.5 @ VGS = 10 V 0.8 to 2.5 0.225BS170 5 @ VGS = 10 V 0.8 to 3 0.5FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD

 8.1. Size:58K  vishay
 2n7000 2n7002 vq1000j-p bs170.pdf pdf_icon

VQ1000P

2N7000/2N7002, VQ1000J/P, BS170Vishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYPart Number V(BR)DSS Min (V) rDS(on) Max (W) VGS(th) (V) ID (A)5 @ VGS = 10 V 0.8 to 3 0.22N70002N7002 7.5 @ VGS = 10 V 1 to 2.5 0.11560VQ1000J 5.5 @ VGS = 10 V 0.8 to 2.5 0.225VQ1000P 5.5 @ VGS = 10 V 0.8 to 2.5 0.225BS170 5 @ VGS = 10 V 0.8 to 3 0.5FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD

 9.1. Size:61K  vishay
 vn0808l-ls vq1006p.pdf pdf_icon

VQ1000P

VN0808L/LS, VQ1006PVishay SiliconixN-Channel 80- and 90-V (D-S) MOSFETsPRODUCT SUMMARYPart Number V(BR)DSS Min (V) rDS(on) Max (W) VGS(th) (V) ID (A)VN0808L 4 @ VGS = 10 V 0.8 to 2 0.380VN0808LS 4 @ VGS = 10 V 0.8 to 2 0.33VQ1006P 90 4 @ VGS = 10 V 0.8 to 2.5 0.4FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD Low On-Resistance: 3.6 W D Low Offset Voltage D Direct Logic-Level Interface: TTL/

 9.2. Size:46K  vishay
 vq1001jp.pdf pdf_icon

VQ1000P

VQ1001J/PVishay SiliconixQuad N-Channel 30-V (D-S) MOSFETsPRODUCT SUMMARYPart Number V(BR)DSS Min (V) rDS(on) Max (W) VGS(th) (V) ID (A)1 @ VGS = 12 V 0.8 to 2.5 0.83VQ1001J30VQ1001P 1 @ VGS = 12 V 0.8 to 2.5 0.53FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD Low On-Resistance: 0.85 W D Low Offset Voltage D Direct Logic-Level Interface: TTL/CMOSD Low Threshold: 1.4 V D Low-Voltage Operat

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History: NVBLS001N06C | VB8338 | PSMN022-30BL | NCEP0116K | IRF6709S2 | TK62J60W5 | ZXMP6A18DN8

 

 
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