Справочник MOSFET. VQ1000P

 

VQ1000P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: VQ1000P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.225 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tonⓘ - Время включения: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 11 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.5 Ohm
   Тип корпуса: DIP-14

 Аналог (замена) для VQ1000P

 

 

VQ1000P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:58K  vishay
 2n7000 2n7002 vq1000j vq1000p bs170.pdf

VQ1000P VQ1000P

2N7000/2N7002, VQ1000J/P, BS170Vishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYPart Number V(BR)DSS Min (V) rDS(on) Max (W) VGS(th) (V) ID (A)5 @ VGS = 10 V 0.8 to 3 0.22N70002N7002 7.5 @ VGS = 10 V 1 to 2.5 0.11560VQ1000J 5.5 @ VGS = 10 V 0.8 to 2.5 0.225VQ1000P 5.5 @ VGS = 10 V 0.8 to 2.5 0.225BS170 5 @ VGS = 10 V 0.8 to 3 0.5FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD

 8.1. Size:58K  vishay
 2n7000 2n7002 vq1000j-p bs170.pdf

VQ1000P VQ1000P

2N7000/2N7002, VQ1000J/P, BS170Vishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYPart Number V(BR)DSS Min (V) rDS(on) Max (W) VGS(th) (V) ID (A)5 @ VGS = 10 V 0.8 to 3 0.22N70002N7002 7.5 @ VGS = 10 V 1 to 2.5 0.11560VQ1000J 5.5 @ VGS = 10 V 0.8 to 2.5 0.225VQ1000P 5.5 @ VGS = 10 V 0.8 to 2.5 0.225BS170 5 @ VGS = 10 V 0.8 to 3 0.5FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD

 9.1. Size:61K  vishay
 vn0808l-ls vq1006p.pdf

VQ1000P VQ1000P

VN0808L/LS, VQ1006PVishay SiliconixN-Channel 80- and 90-V (D-S) MOSFETsPRODUCT SUMMARYPart Number V(BR)DSS Min (V) rDS(on) Max (W) VGS(th) (V) ID (A)VN0808L 4 @ VGS = 10 V 0.8 to 2 0.380VN0808LS 4 @ VGS = 10 V 0.8 to 2 0.33VQ1006P 90 4 @ VGS = 10 V 0.8 to 2.5 0.4FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD Low On-Resistance: 3.6 W D Low Offset Voltage D Direct Logic-Level Interface: TTL/

 9.2. Size:46K  vishay
 vq1001jp.pdf

VQ1000P VQ1000P

VQ1001J/PVishay SiliconixQuad N-Channel 30-V (D-S) MOSFETsPRODUCT SUMMARYPart Number V(BR)DSS Min (V) rDS(on) Max (W) VGS(th) (V) ID (A)1 @ VGS = 12 V 0.8 to 2.5 0.83VQ1001J30VQ1001P 1 @ VGS = 12 V 0.8 to 2.5 0.53FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD Low On-Resistance: 0.85 W D Low Offset Voltage D Direct Logic-Level Interface: TTL/CMOSD Low Threshold: 1.4 V D Low-Voltage Operat

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top