SI3493DDV MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI3493DDV
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
Encapsulados: TSOP-6
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SI3493DDV datasheet
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Si3493DDV www.vishay.com Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES TSOP-6 Single TrenchFET Gen III p-channel power MOSFET S 4 RDS(on) rating at VGS = -1.8 V D 5 D 100 % Rg and UIS tested 6 Material categorization for definitions of compliance please see 3 www.vishay.com/doc?99912 G 2 D APPLICATIONS 1 S D Battery management in mobile d
si3493dv.pdf
Si3493DV Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.027 at VGS = - 4.5 V - 7 TrenchFET Power MOSFET 1.8 V Rated 0.035 at VGS = - 2.5 V - 6.2 - 20 21 Ultra-Low On-Resistance 0.048 at VGS = - 1.8 V - 5.2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
si3493bd.pdf
Si3493BDV Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Typ.) ID (A) Definition 0.0275 at VGS = - 4.5 V TrenchFET Power MOSFET - 8.0a PWM Optimized - 20 0.034 at VGS = - 2.5 V - 7.9 26.2 nC 100 % Rg Tested 0.045 at VGS = - 1.8 V - 2.2 Compliant to RoHS Directiv
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Si3493BDV Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Typ.) ID (A) Definition 0.0275 at VGS = - 4.5 V TrenchFET Power MOSFET - 8.0a PWM Optimized - 20 0.034 at VGS = - 2.5 V - 7.9 26.2 nC 100 % Rg Tested 0.045 at VGS = - 1.8 V - 2.2 Compliant to RoHS Directiv
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History: HFP75N80C | 2SK1254S | NVA4001N
History: HFP75N80C | 2SK1254S | NVA4001N
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Liste
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MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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