SI3493DDV Todos los transistores

 

SI3493DDV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI3493DDV
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP-6
 

 Búsqueda de reemplazo de SI3493DDV MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SI3493DDV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:227K  vishay
 si3493ddv.pdf pdf_icon

SI3493DDV

Si3493DDVwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESTSOP-6 Single TrenchFET Gen III p-channel power MOSFETS4 RDS(on) rating at VGS = -1.8 VD5D 100 % Rg and UIS tested6 Material categorization: for definitions of compliance please see3www.vishay.com/doc?99912G2DAPPLICATIONS1 SD Battery management in mobile d

 7.1. Size:199K  vishay
 si3493dv.pdf pdf_icon

SI3493DDV

Si3493DVVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.027 at VGS = - 4.5 V - 7 TrenchFET Power MOSFET: 1.8 V Rated0.035 at VGS = - 2.5 V - 6.2- 20 21 Ultra-Low On-Resistance 0.048 at VGS = - 1.8 V - 5.2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

 8.1. Size:190K  vishay
 si3493bd.pdf pdf_icon

SI3493DDV

Si3493BDVVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)ID (A)Definition0.0275 at VGS = - 4.5 V TrenchFET Power MOSFET- 8.0a PWM Optimized- 20 0.034 at VGS = - 2.5 V - 7.9 26.2 nC 100 % Rg Tested 0.045 at VGS = - 1.8 V - 2.2 Compliant to RoHS Directiv

 8.2. Size:192K  vishay
 si3493bdv.pdf pdf_icon

SI3493DDV

Si3493BDVVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)ID (A)Definition0.0275 at VGS = - 4.5 V TrenchFET Power MOSFET- 8.0a PWM Optimized- 20 0.034 at VGS = - 2.5 V - 7.9 26.2 nC 100 % Rg Tested 0.045 at VGS = - 1.8 V - 2.2 Compliant to RoHS Directiv

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... SI1024X , SI1078X , SI1900DL , SI1902DL , SI2308CDS , SI3440ADV , SI3460BDV , SI3469DV , TK10A60D , SI3993DV , SI4058DY , SI4062DY , SI4403DDY , SI4431BDY , SI4435FDY , SI4447DY , SI4804CDY .

History: MTE55N20J3 | ME20P06 | IPW60R060P7 | STP30NM60ND | VBZQA50P03 | SQM100N04-3M5 | 3N80AF

 

 
Back to Top

 


 
.