Справочник MOSFET. SI3493DDV

 

SI3493DDV MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI3493DDV
   Маркировка: BQ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 34.8 nC
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6

 Аналог (замена) для SI3493DDV

 

 

SI3493DDV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:227K  vishay
 si3493ddv.pdf

SI3493DDV SI3493DDV

Si3493DDVwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESTSOP-6 Single TrenchFET Gen III p-channel power MOSFETS4 RDS(on) rating at VGS = -1.8 VD5D 100 % Rg and UIS tested6 Material categorization: for definitions of compliance please see3www.vishay.com/doc?99912G2DAPPLICATIONS1 SD Battery management in mobile d

 7.1. Size:199K  vishay
 si3493dv.pdf

SI3493DDV SI3493DDV

Si3493DVVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.027 at VGS = - 4.5 V - 7 TrenchFET Power MOSFET: 1.8 V Rated0.035 at VGS = - 2.5 V - 6.2- 20 21 Ultra-Low On-Resistance 0.048 at VGS = - 1.8 V - 5.2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

 8.1. Size:190K  vishay
 si3493bd.pdf

SI3493DDV SI3493DDV

Si3493BDVVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)ID (A)Definition0.0275 at VGS = - 4.5 V TrenchFET Power MOSFET- 8.0a PWM Optimized- 20 0.034 at VGS = - 2.5 V - 7.9 26.2 nC 100 % Rg Tested 0.045 at VGS = - 1.8 V - 2.2 Compliant to RoHS Directiv

 8.2. Size:192K  vishay
 si3493bdv.pdf

SI3493DDV SI3493DDV

Si3493BDVVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)ID (A)Definition0.0275 at VGS = - 4.5 V TrenchFET Power MOSFET- 8.0a PWM Optimized- 20 0.034 at VGS = - 2.5 V - 7.9 26.2 nC 100 % Rg Tested 0.045 at VGS = - 1.8 V - 2.2 Compliant to RoHS Directiv

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 

Back to Top