SI3993DV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI3993DV
   Código: MF*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 3.1 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.133 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP-6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI3993DV

SI3993DV Datasheet (PDF)

..1. Size:197K vishay
si3993dv.pdf

Si3993DVVishay SiliconixDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.133 at VGS = - 10 V - 2.2 TrenchFET Power MOSFET- 300.245 at VGS = - 4.5 V - 1.6 Symetrical Dual P-Channel Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Battery Switch for Porta

8.1. Size:194K vishay
si3993cdv.pdf

New ProductSi3993CDVVishay SiliconixDual P-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.111 at VGS = - 10 V - 2.9 TrenchFET Power MOSFET- 30 2.7 nC0.188 at VGS = - 4.5 V - 2.2 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load

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Liste

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