SI3993DV Todos los transistores

 

SI3993DV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI3993DV
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.133 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP-6
 

 Búsqueda de reemplazo de SI3993DV MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SI3993DV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:197K  vishay
 si3993dv.pdf pdf_icon

SI3993DV

Si3993DVVishay SiliconixDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.133 at VGS = - 10 V - 2.2 TrenchFET Power MOSFET- 300.245 at VGS = - 4.5 V - 1.6 Symetrical Dual P-Channel Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Battery Switch for Porta

 8.1. Size:194K  vishay
 si3993cdv.pdf pdf_icon

SI3993DV

New ProductSi3993CDVVishay SiliconixDual P-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.111 at VGS = - 10 V - 2.9 TrenchFET Power MOSFET- 30 2.7 nC0.188 at VGS = - 4.5 V - 2.2 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load

Otros transistores... SI1078X , SI1900DL , SI1902DL , SI2308CDS , SI3440ADV , SI3460BDV , SI3469DV , SI3493DDV , RFP50N06 , SI4058DY , SI4062DY , SI4403DDY , SI4431BDY , SI4435FDY , SI4447DY , SI4804CDY , SI4848ADY .

History: SSM452

 

 
Back to Top

 


 
.