Справочник MOSFET. SI3993DV

 

SI3993DV MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI3993DV
   Маркировка: MF*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.83 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1.8 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 3.1 nC
   Время нарастания (tr): 16 ns
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.133 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6

 Аналог (замена) для SI3993DV

 

 

SI3993DV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:197K  vishay
 si3993dv.pdf

SI3993DV SI3993DV

Si3993DVVishay SiliconixDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.133 at VGS = - 10 V - 2.2 TrenchFET Power MOSFET- 300.245 at VGS = - 4.5 V - 1.6 Symetrical Dual P-Channel Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Battery Switch for Porta

 8.1. Size:194K  vishay
 si3993cdv.pdf

SI3993DV SI3993DV

New ProductSi3993CDVVishay SiliconixDual P-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.111 at VGS = - 10 V - 2.9 TrenchFET Power MOSFET- 30 2.7 nC0.188 at VGS = - 4.5 V - 2.2 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: VB8338

 

 
Back to Top