SI4058DY Todos los transistores

 

SI4058DY MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI4058DY

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm

Encapsulados: SO-8

 Búsqueda de reemplazo de SI4058DY MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SI4058DY datasheet

 ..1. Size:256K  vishay
si4058dy.pdf pdf_icon

SI4058DY

Si4058DY www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) MAX. ID (A) a Qg (TYP.) 100 % Rg and UIS tested 0.026 at VGS = 10 V 10.3 100 5.8 nC Material categorization 0.033 at VGS = 4.5 V 9.2 for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 SO-8 Single D D 5 A

 9.1. Size:209K  vishay
si4056dy.pdf pdf_icon

SI4058DY

 9.2. Size:1768K  kexin
si4056dy.pdf pdf_icon

SI4058DY

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET SI4056DY (KI4056DY) SOP-8 Features VDS (V) = 100V ID = 11.1 A (VGS = 10V) D RDS(ON) 23m (VGS = 10V) 1.50 0.15 RDS(ON) 24m (VGS = 7.5V) RDS(ON) 31 m (VGS = 4.5V) G 1 Source 5 Drain 6 Drain 2 Source 7 Drain 3 Source 8 Drain 4 Gate S Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Ra

Otros transistores... SI1900DL , SI1902DL , SI2308CDS , SI3440ADV , SI3460BDV , SI3469DV , SI3493DDV , SI3993DV , 12N60 , SI4062DY , SI4403DDY , SI4431BDY , SI4435FDY , SI4447DY , SI4804CDY , SI4848ADY , SI4850BDY .

History: 2SK1298 | SCH1330 | SI4403DDY | IXFA110N15T2

 

 

 

 

↑ Back to Top
.