SI4058DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI4058DY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI4058DY

SI4058DY Datasheet (PDF)

..1. Size:256K vishay
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Si4058DYwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFET VDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) a Qg (TYP.) 100 % Rg and UIS tested0.026 at VGS = 10 V 10.3100 5.8 nC Material categorization:0.033 at VGS = 4.5 V 9.2for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912SO-8 SingleDD 5A

9.1. Size:209K vishay
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Si4056DYwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESSO-8 SingleD TrenchFET power MOSFETD 5D 6 100 % Rg and UIS testedD 78 Material categorization:for definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?999124G APPLICATIONS33SS2 D 2 DC/DC primary side switchSS11S Telecom / serverTop View

9.2. Size:1768K kexin
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SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET SI4056DY (KI4056DY)SOP-8 Features VDS (V) = 100V ID = 11.1 A (VGS = 10V)D RDS(ON) 23m (VGS = 10V)1.50 0.15 RDS(ON) 24m (VGS = 7.5V) RDS(ON) 31 m (VGS = 4.5V)G 1 Source 5 Drain6 Drain2 Source7 Drain3 Source8 Drain4 GateS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Ra

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: