SI4058DY - описание и поиск аналогов

 

SI4058DY. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI4058DY

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для SI4058DY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4058DY даташит

 ..1. Size:256K  vishay
 si4058dy.pdf pdf_icon

SI4058DY

Si4058DY www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) MAX. ID (A) a Qg (TYP.) 100 % Rg and UIS tested 0.026 at VGS = 10 V 10.3 100 5.8 nC Material categorization 0.033 at VGS = 4.5 V 9.2 for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 SO-8 Single D D 5 A

 9.1. Size:209K  vishay
 si4056dy.pdf pdf_icon

SI4058DY

 9.2. Size:1768K  kexin
 si4056dy.pdf pdf_icon

SI4058DY

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET SI4056DY (KI4056DY) SOP-8 Features VDS (V) = 100V ID = 11.1 A (VGS = 10V) D RDS(ON) 23m (VGS = 10V) 1.50 0.15 RDS(ON) 24m (VGS = 7.5V) RDS(ON) 31 m (VGS = 4.5V) G 1 Source 5 Drain 6 Drain 2 Source 7 Drain 3 Source 8 Drain 4 Gate S Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Ra

Другие MOSFET... SI1900DL , SI1902DL , SI2308CDS , SI3440ADV , SI3460BDV , SI3469DV , SI3493DDV , SI3993DV , 12N60 , SI4062DY , SI4403DDY , SI4431BDY , SI4435FDY , SI4447DY , SI4804CDY , SI4848ADY , SI4850BDY .

History: 4N60KG-TF2-T | 2SK2052 | STF7LN80K5 | 2SK3574-S

 

 

 

 

↑ Back to Top
.