SI4062DY Todos los transistores

 

SI4062DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI4062DY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 105 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1265 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0042 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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SI4062DY Datasheet (PDF)

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SI4062DY

Si4062DYVishay SiliconixN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) () Max. ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0042 at VGS = 10 V 32.1 Material categorization:For definitions of compliance please see60 0.0054 at VGS = 6 V 28.3 18.8 nCwww.vishay.com/doc?999120.0069 at VGS = 4.5 V 25APPLICATIONSS

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History: AP9963GP | DH012N03D | FQA47P06 | MTM45N05E | WMP80R1K0S | HSM4094 | NCEP60T18

 

 
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