SI4062DY MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI4062DY
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 105 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1265 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0042 Ohm
Encapsulados: SO-8
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SI4062DY datasheet
si4062dy.pdf
Si4062DY Vishay Siliconix N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.0042 at VGS = 10 V 32.1 Material categorization For definitions of compliance please see 60 0.0054 at VGS = 6 V 28.3 18.8 nC www.vishay.com/doc?99912 0.0069 at VGS = 4.5 V 25 APPLICATIONS S
Otros transistores... SI1902DL , SI2308CDS , SI3440ADV , SI3460BDV , SI3469DV , SI3493DDV , SI3993DV , SI4058DY , 5N65 , SI4403DDY , SI4431BDY , SI4435FDY , SI4447DY , SI4804CDY , SI4848ADY , SI4850BDY , SI4925BDY .
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Liste
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MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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