SI4062DY - описание и поиск аналогов

 

SI4062DY. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI4062DY

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 105 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1265 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для SI4062DY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4062DY даташит

 ..1. Size:190K  vishay
 si4062dy.pdf pdf_icon

SI4062DY

Si4062DY Vishay Siliconix N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.0042 at VGS = 10 V 32.1 Material categorization For definitions of compliance please see 60 0.0054 at VGS = 6 V 28.3 18.8 nC www.vishay.com/doc?99912 0.0069 at VGS = 4.5 V 25 APPLICATIONS S

Другие MOSFET... SI1902DL , SI2308CDS , SI3440ADV , SI3460BDV , SI3469DV , SI3493DDV , SI3993DV , SI4058DY , 5N65 , SI4403DDY , SI4431BDY , SI4435FDY , SI4447DY , SI4804CDY , SI4848ADY , SI4850BDY , SI4925BDY .

History: NTE4153NT1G | IRF7700 | NDT6N70 | SI2325DS

 

 

 

 

↑ Back to Top
.