SI4062DY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI4062DY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 105 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1265 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm
Тип корпуса: SO-8
SI4062DY Datasheet (PDF)
si4062dy.pdf
Si4062DYVishay SiliconixN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) () Max. ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0042 at VGS = 10 V 32.1 Material categorization:For definitions of compliance please see60 0.0054 at VGS = 6 V 28.3 18.8 nCwww.vishay.com/doc?999120.0069 at VGS = 4.5 V 25APPLICATIONSS
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918