Справочник MOSFET. SI4062DY

 

SI4062DY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI4062DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 105 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1265 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SI4062DY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4062DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:190K  vishay
 si4062dy.pdf pdf_icon

SI4062DY

Si4062DYVishay SiliconixN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) () Max. ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0042 at VGS = 10 V 32.1 Material categorization:For definitions of compliance please see60 0.0054 at VGS = 6 V 28.3 18.8 nCwww.vishay.com/doc?999120.0069 at VGS = 4.5 V 25APPLICATIONSS

Другие MOSFET... SI1902DL , SI2308CDS , SI3440ADV , SI3460BDV , SI3469DV , SI3493DDV , SI3993DV , SI4058DY , 4435 , SI4403DDY , SI4431BDY , SI4435FDY , SI4447DY , SI4804CDY , SI4848ADY , SI4850BDY , SI4925BDY .

History: SSTSD201 | SI7440DP | STD8N60DM2 | FCH041N60E | STFW69N65M5 | GSM4516 | STH110N10F7-2

 

 
Back to Top

 


 
.