SI4804CDY Todos los transistores

 

SI4804CDY MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI4804CDY

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 131 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm

Encapsulados: SO-8

 Búsqueda de reemplazo de SI4804CDY MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SI4804CDY datasheet

 ..1. Size:89K  vishay
si4804cdy.pdf pdf_icon

SI4804CDY

New Product Si4804CDY Vishay Siliconix Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested RoHS 0.022 at VGS = 10 V 8 COMPLIANT 30 7 100 % UIS Tested 0.027 at VGS = 4.5 V 7.9 APPLICATIONS DC/DC Notebook System Power SO-8 D1 D2 S1 1 8 D1 G1

 6.1. Size:89K  vishay
si4804cd.pdf pdf_icon

SI4804CDY

New Product Si4804CDY Vishay Siliconix Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested RoHS 0.022 at VGS = 10 V 8 COMPLIANT 30 7 100 % UIS Tested 0.027 at VGS = 4.5 V 7.9 APPLICATIONS DC/DC Notebook System Power SO-8 D1 D2 S1 1 8 D1 G1

 8.1. Size:69K  vishay
si4804dy.pdf pdf_icon

SI4804CDY

Si4804DY Vishay Siliconix Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY FEATURES D TrenchFETr Power MOSFET VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) D 100% Rg Tested 0.022 @ VGS = 10 V 7.5 30 30 Pb-free 0.030 @ VGS = 4.5 V 6.5 Available SO-8 D1 D2 S1 1 D1 8 G1 2 D1 7 S2 3 D2 6 G1 G2 G2 4 D2 5 Top View S1 S2 Ordering Information Si4804DY Si4804DY-T1 (with Tape and Reel) N-Channel

 8.2. Size:245K  vishay
si4804bd.pdf pdf_icon

SI4804CDY

Si4804BDY Vishay Siliconix Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.022 at VGS = 10 V 7.5 TrenchFET Power MOSFET 30 0.030 at VGS = 4.5 V 6.5 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Symmetrical Buck-Boost

Otros transistores... SI3493DDV , SI3993DV , SI4058DY , SI4062DY , SI4403DDY , SI4431BDY , SI4435FDY , SI4447DY , CS150N03A8 , SI4848ADY , SI4850BDY , SI4925BDY , SI4936ADY , SI4946CDY , SI4966DY , SI5948DU , SI7113ADN .

 

 

 


🌐 : EN  ES  РУ

social

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10

 

 

 

Popular searches

2sc2240 transistor | c3198 | 2sc793 | 2sd313 replacement | 2n4249 | a1013 transistor | 2sc2705 | bc239

 

 

↑ Back to Top
.