SI4804CDY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI4804CDY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 131 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI4804CDY

SI4804CDY Datasheet (PDF)

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New ProductSi4804CDYVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested RoHS0.022 at VGS = 10 V 8COMPLIANT30 7 100 % UIS Tested0.027 at VGS = 4.5 V 7.9APPLICATIONS DC/DC Notebook System PowerSO-8D1 D2S1 18 D1G1

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Si4804DYVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARY FEATURESD TrenchFETr Power MOSFETVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)D 100% Rg Tested0.022 @ VGS = 10 V 7.53030 Pb-free0.030 @ VGS = 4.5 V 6.5AvailableSO-8D1 D2S1 1 D18G1 2 D17S2 3 D26G1 G2G2 4 D25Top ViewS1 S2Ordering Information: Si4804DYSi4804DY-T1 (with Tape and Reel)N-Channel

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Si4804BDYVishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.022 at VGS = 10 V 7.5 TrenchFET Power MOSFET300.030 at VGS = 4.5 V 6.5 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Symmetrical Buck-Boost

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Liste

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