Справочник MOSFET. SI4804CDY

 

SI4804CDY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI4804CDY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 131 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SI4804CDY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4804CDY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:89K  vishay
 si4804cdy.pdf pdf_icon

SI4804CDY

New ProductSi4804CDYVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested RoHS0.022 at VGS = 10 V 8COMPLIANT30 7 100 % UIS Tested0.027 at VGS = 4.5 V 7.9APPLICATIONS DC/DC Notebook System PowerSO-8D1 D2S1 18 D1G1

 6.1. Size:89K  vishay
 si4804cd.pdf pdf_icon

SI4804CDY

New ProductSi4804CDYVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested RoHS0.022 at VGS = 10 V 8COMPLIANT30 7 100 % UIS Tested0.027 at VGS = 4.5 V 7.9APPLICATIONS DC/DC Notebook System PowerSO-8D1 D2S1 18 D1G1

 8.1. Size:69K  vishay
 si4804dy.pdf pdf_icon

SI4804CDY

Si4804DYVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARY FEATURESD TrenchFETr Power MOSFETVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)D 100% Rg Tested0.022 @ VGS = 10 V 7.53030 Pb-free0.030 @ VGS = 4.5 V 6.5AvailableSO-8D1 D2S1 1 D18G1 2 D17S2 3 D26G1 G2G2 4 D25Top ViewS1 S2Ordering Information: Si4804DYSi4804DY-T1 (with Tape and Reel)N-Channel

 8.2. Size:245K  vishay
 si4804bd.pdf pdf_icon

SI4804CDY

Si4804BDYVishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.022 at VGS = 10 V 7.5 TrenchFET Power MOSFET300.030 at VGS = 4.5 V 6.5 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Symmetrical Buck-Boost

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SI3493DDV , SI3993DV , SI4058DY , SI4062DY , SI4403DDY , SI4431BDY , SI4435FDY , SI4447DY , IRLB4132 , SI4848ADY , SI4850BDY , SI4925BDY , SI4936ADY , SI4946CDY , SI4966DY , SI5948DU , SI7113ADN .

History: IRF621FI | STP310N10F7

 

 
Back to Top

 


 
.