SI4804CDY - описание и поиск аналогов

 

SI4804CDY. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI4804CDY

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 131 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для SI4804CDY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4804CDY даташит

 ..1. Size:89K  vishay
si4804cdy.pdfpdf_icon

SI4804CDY

New Product Si4804CDY Vishay Siliconix Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested RoHS 0.022 at VGS = 10 V 8 COMPLIANT 30 7 100 % UIS Tested 0.027 at VGS = 4.5 V 7.9 APPLICATIONS DC/DC Notebook System Power SO-8 D1 D2 S1 1 8 D1 G1

 6.1. Size:89K  vishay
si4804cd.pdfpdf_icon

SI4804CDY

New Product Si4804CDY Vishay Siliconix Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested RoHS 0.022 at VGS = 10 V 8 COMPLIANT 30 7 100 % UIS Tested 0.027 at VGS = 4.5 V 7.9 APPLICATIONS DC/DC Notebook System Power SO-8 D1 D2 S1 1 8 D1 G1

 8.1. Size:69K  vishay
si4804dy.pdfpdf_icon

SI4804CDY

Si4804DY Vishay Siliconix Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY FEATURES D TrenchFETr Power MOSFET VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) D 100% Rg Tested 0.022 @ VGS = 10 V 7.5 30 30 Pb-free 0.030 @ VGS = 4.5 V 6.5 Available SO-8 D1 D2 S1 1 D1 8 G1 2 D1 7 S2 3 D2 6 G1 G2 G2 4 D2 5 Top View S1 S2 Ordering Information Si4804DY Si4804DY-T1 (with Tape and Reel) N-Channel

 8.2. Size:245K  vishay
si4804bd.pdfpdf_icon

SI4804CDY

Si4804BDY Vishay Siliconix Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.022 at VGS = 10 V 7.5 TrenchFET Power MOSFET 30 0.030 at VGS = 4.5 V 6.5 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Symmetrical Buck-Boost

Другие MOSFET... SI3493DDV , SI3993DV , SI4058DY , SI4062DY , SI4403DDY , SI4431BDY , SI4435FDY , SI4447DY , CS150N03A8 , SI4848ADY , SI4850BDY , SI4925BDY , SI4936ADY , SI4946CDY , SI4966DY , SI5948DU , SI7113ADN .

History: E10P02 | APQ02SN65AH | SI4447DY

 

 

 

 

↑ Back to Top
.