Справочник MOSFET. SI4804CDY

 

SI4804CDY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI4804CDY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 131 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для SI4804CDY

 

 

SI4804CDY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:89K  vishay
 si4804cdy.pdf

SI4804CDY SI4804CDY

New ProductSi4804CDYVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested RoHS0.022 at VGS = 10 V 8COMPLIANT30 7 100 % UIS Tested0.027 at VGS = 4.5 V 7.9APPLICATIONS DC/DC Notebook System PowerSO-8D1 D2S1 18 D1G1

 6.1. Size:89K  vishay
 si4804cd.pdf

SI4804CDY SI4804CDY

New ProductSi4804CDYVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested RoHS0.022 at VGS = 10 V 8COMPLIANT30 7 100 % UIS Tested0.027 at VGS = 4.5 V 7.9APPLICATIONS DC/DC Notebook System PowerSO-8D1 D2S1 18 D1G1

 8.1. Size:69K  vishay
 si4804dy.pdf

SI4804CDY SI4804CDY

Si4804DYVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARY FEATURESD TrenchFETr Power MOSFETVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)D 100% Rg Tested0.022 @ VGS = 10 V 7.53030 Pb-free0.030 @ VGS = 4.5 V 6.5AvailableSO-8D1 D2S1 1 D18G1 2 D17S2 3 D26G1 G2G2 4 D25Top ViewS1 S2Ordering Information: Si4804DYSi4804DY-T1 (with Tape and Reel)N-Channel

 8.2. Size:245K  vishay
 si4804bd.pdf

SI4804CDY SI4804CDY

Si4804BDYVishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.022 at VGS = 10 V 7.5 TrenchFET Power MOSFET300.030 at VGS = 4.5 V 6.5 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Symmetrical Buck-Boost

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top