SI7972DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI7972DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 3.6 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 8 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.7 V
   Carga de la puerta (Qg): 15.2 nC
   Tiempo de subida (tr): 80 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 435 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI7972DP

SI7972DP Datasheet (PDF)

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Si7972DPwww.vishay.comVishay SiliconixDual N-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8 DualD1 TrenchFET power MOSFETD1 8 PWM optimizedD2 7D2 6 100 % Rg and UIS tested5 Material categorization:for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?9991212 S1APPLICATIONS3 G11 4 S24 System power DC/DCG2Top View Botto

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