SI7972DP Todos los transistores

 

SI7972DP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI7972DP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 435 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm

Encapsulados: SO-8

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SI7972DP datasheet

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SI7972DP

Si7972DP www.vishay.com Vishay Siliconix Dual N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PowerPAK SO-8 Dual D1 TrenchFET power MOSFET D1 8 PWM optimized D2 7 D2 6 100 % Rg and UIS tested 5 Material categorization for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 1 2 S1 APPLICATIONS 3 G1 1 4 S2 4 System power DC/DC G2 Top View Botto

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History: SPP77N06S2-12 | S60N15S | S60N15RN | SL6800C | FDMS7602S

 

 

 

 

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