SI7972DP - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

SI7972DP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: SI7972DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.6 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.7 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 15.2 nC
   Время нарастания (tr): 80 ns
   Выходная емкость (Cd): 435 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.018 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для SI7972DP

SI7972DP Datasheet (PDF)

..1. Size:227K vishay
si7972dp.pdf

Si7972DPwww.vishay.comVishay SiliconixDual N-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8 DualD1 TrenchFET power MOSFETD1 8 PWM optimizedD2 7D2 6 100 % Rg and UIS tested5 Material categorization:for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?9991212 S1APPLICATIONS3 G11 4 S24 System power DC/DCG2Top View Botto

9.1. Size:79K vishay
si7970dp.pdf