SI7972DP - описание и поиск аналогов

 

SI7972DP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI7972DP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 435 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для SI7972DP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7972DP даташит

 ..1. Size:227K  vishay
si7972dp.pdfpdf_icon

SI7972DP

Si7972DP www.vishay.com Vishay Siliconix Dual N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PowerPAK SO-8 Dual D1 TrenchFET power MOSFET D1 8 PWM optimized D2 7 D2 6 100 % Rg and UIS tested 5 Material categorization for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 1 2 S1 APPLICATIONS 3 G1 1 4 S2 4 System power DC/DC G2 Top View Botto

 9.1. Size:79K  vishay
si7970dp.pdfpdf_icon

SI7972DP

 9.2. Size:122K  vishay
si7973dp.pdfpdf_icon

SI7972DP

Другие MOSFET... SI4946CDY , SI4966DY , SI5948DU , SI7113ADN , SI7153DN , SI7218DN , SI7615CDN , SI7900AEDN , 5N60 , SI8823EDB , SI8824EDB , SI8902AEDB , SIA445EDJT , SIA465EDJ , SIA468DJ , SIA469DJ , SIA472EDJ .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.