SI8824EDB MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI8824EDB
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 5 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
Encapsulados: MICRO-FOOT0.8X0.8
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SI8824EDB datasheet
si8824edb.pdf
Si8824EDB www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) MAX. ID (A) a Qg (TYP.) Ultra small 0.8 mm x 0.8 mm outline 0.075 at VGS = 4.5 V 2.9 Ultra thin 0.357 mm height 0.082 at VGS = 2.5 V 2.7 Typical ESD protection 2000 V (HBM) 20 0.090 at VGS = 1.8 V 2.6 2.7 nC Material categ
si8823edb.pdf
Si8823EDB www.vishay.com Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES MICRO FOOT 0.8 x 0.8 S TrenchFET Gen III p-channel power MOSFET 2 2 S S Compact 0.8 mm x 0.8 mm outline area 3 3 Low 0.4 mm max. profile RDS(on) rating at VGS = -1.5 V Typical ESD protection 1900 V HBM 1 1 G G Material categorization for definitions of compliance 4
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History: APM7318
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