Справочник MOSFET. SI8824EDB

 

SI8824EDB Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI8824EDB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: MICRO-FOOT0.8X0.8
 

 Аналог (замена) для SI8824EDB

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI8824EDB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:155K  vishay
 si8824edb.pdf pdf_icon

SI8824EDB

Si8824EDBwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) a Qg (TYP.) Ultra small 0.8 mm x 0.8 mm outline0.075 at VGS = 4.5 V 2.9 Ultra thin 0.357 mm height0.082 at VGS = 2.5 V 2.7 Typical ESD protection 2000 V (HBM)20 0.090 at VGS = 1.8 V 2.6 2.7 nC Material categ

 9.1. Size:153K  vishay
 si8822.pdf pdf_icon

SI8824EDB

 9.2. Size:134K  vishay
 si8821edb.pdf pdf_icon

SI8824EDB

 9.3. Size:142K  vishay
 si8823edb.pdf pdf_icon

SI8824EDB

Si8823EDBwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESMICRO FOOT 0.8 x 0.8S TrenchFET Gen III p-channel power MOSFET22SS Compact 0.8 mm x 0.8 mm outline area33 Low 0.4 mm max. profile RDS(on) rating at VGS = -1.5 V Typical ESD protection: 1900 V HBM11GG Material categorization: for definitions of compliance 4

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SI5948DU , SI7113ADN , SI7153DN , SI7218DN , SI7615CDN , SI7900AEDN , SI7972DP , SI8823EDB , IRFZ46N , SI8902AEDB , SIA445EDJT , SIA465EDJ , SIA468DJ , SIA469DJ , SIA472EDJ , SIA918EDJ , SIA923AEDJ .

History: ME2305 | STP260N6F6 | SWP16N65K | STD3NK80Z

 

 
Back to Top

 


 
.