SI8902AEDB MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI8902AEDB
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 24 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3500 nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
Encapsulados: MICRO-FOOT2.4X1.6
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SI8902AEDB datasheet
si8902aedb.pdf
Si8902AEDB www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 24 V (D-S) MOSFET, Common Drain FEATURES MICRO FOOT 2.4 x 1.6 S1 TrenchFET power MOSFET 2 G1 3 Small 2.4 mm x 1.6 mm outline S2 4 Thin 0.6 mm max. height Typical ESD protection 5000 V (HBM) 1 S1 6 Material categorization for definitions of G2 5 compliance please see www.vishay.com/doc?99912 1 S2
Otros transistores... SI7113ADN , SI7153DN , SI7218DN , SI7615CDN , SI7900AEDN , SI7972DP , SI8823EDB , SI8824EDB , AO3407 , SIA445EDJT , SIA465EDJ , SIA468DJ , SIA469DJ , SIA472EDJ , SIA918EDJ , SIA923AEDJ , SIHA21N60EF .
History: 2SK1876 | IXFC26N50P
History: 2SK1876 | IXFC26N50P
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