SI8902AEDB Todos los transistores

 

SI8902AEDB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI8902AEDB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 24 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3500 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: MICRO-FOOT2.4X1.6
 

 Búsqueda de reemplazo de SI8902AEDB MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SI8902AEDB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:245K  vishay
si8902aedb.pdf pdf_icon

SI8902AEDB

Si8902AEDBwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 24 V (D-S) MOSFET, Common DrainFEATURESMICRO FOOT 2.4 x 1.6S1 TrenchFET power MOSFET2G13 Small 2.4 mm x 1.6 mm outlineS24 Thin 0.6 mm max. height Typical ESD protection 5000 V (HBM)1S16 Material categorization: for definitions ofG25compliance please see www.vishay.com/doc?999121S2

 8.1. Size:200K  vishay
si8902edb.pdf pdf_icon

SI8902AEDB

 9.1. Size:76K  vishay
si8901db.pdf pdf_icon

SI8902AEDB

 9.2. Size:181K  vishay
si8904edb.pdf pdf_icon

SI8902AEDB

Otros transistores... SI7113ADN , SI7153DN , SI7218DN , SI7615CDN , SI7900AEDN , SI7972DP , SI8823EDB , SI8824EDB , 7N60 , SIA445EDJT , SIA465EDJ , SIA468DJ , SIA469DJ , SIA472EDJ , SIA918EDJ , SIA923AEDJ , SIHA21N60EF .

History: PTP4N65 | NTTFS5C454NL | RD3L220SN | SFF70N10Z | AP03N90I | SWD068R08E8T

 

 
Back to Top

 


 
.