SI8902AEDB - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SI8902AEDB
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 24 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 3500 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
Тип корпуса: MICRO-FOOT2.4X1.6
Аналог (замена) для SI8902AEDB
SI8902AEDB Datasheet (PDF)
..1. Size:245K vishay
si8902aedb.pdf
si8902aedb.pdf
Si8902AEDBwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 24 V (D-S) MOSFET, Common DrainFEATURESMICRO FOOT 2.4 x 1.6S1 TrenchFET power MOSFET2G13 Small 2.4 mm x 1.6 mm outlineS24 Thin 0.6 mm max. height Typical ESD protection 5000 V (HBM)1S16 Material categorization: for definitions ofG25compliance please see www.vishay.com/doc?999121S2
Другие MOSFET... SI7113ADN , SI7153DN , SI7218DN , SI7615CDN , SI7900AEDN , SI7972DP , SI8823EDB , SI8824EDB , 7N60 , SIA445EDJT , SIA465EDJ , SIA468DJ , SIA469DJ , SIA472EDJ , SIA918EDJ , SIA923AEDJ , SIHA21N60EF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sc1079 | 2sc1815 equivalent | 2sa1220 | 2sa940 | 2sc627 | 2sc680 | 2sd234 | 2sc9014