SI8902AEDB Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SI8902AEDB
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 24 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 3500 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
Тип корпуса: MICRO-FOOT2.4X1.6
Аналог (замена) для SI8902AEDB
SI8902AEDB Datasheet (PDF)
si8902aedb.pdf
Si8902AEDBwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 24 V (D-S) MOSFET, Common DrainFEATURESMICRO FOOT 2.4 x 1.6S1 TrenchFET power MOSFET2G13 Small 2.4 mm x 1.6 mm outlineS24 Thin 0.6 mm max. height Typical ESD protection 5000 V (HBM)1S16 Material categorization: for definitions ofG25compliance please see www.vishay.com/doc?999121S2
Другие MOSFET... SI7113ADN , SI7153DN , SI7218DN , SI7615CDN , SI7900AEDN , SI7972DP , SI8823EDB , SI8824EDB , 7N60 , SIA445EDJT , SIA465EDJ , SIA468DJ , SIA469DJ , SIA472EDJ , SIA918EDJ , SIA923AEDJ , SIHA21N60EF .
History: SIA923AEDJ | AMA410N | FTD02N70 | WMO11N80M3 | KP821A | IPSA70R360P7S | SDM9926
History: SIA923AEDJ | AMA410N | FTD02N70 | WMO11N80M3 | KP821A | IPSA70R360P7S | SDM9926
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2sc1079 | 2sc1815 equivalent | 2sa1220 | 2sa940 | 2sc627 | 2sc680 | 2sd234 | 2sc9014