SI8902AEDB Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SI8902AEDB
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 24 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.9 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 3500 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
Тип корпуса: MICRO-FOOT2.4X1.6
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SI8902AEDB Datasheet (PDF)
si8902aedb.pdf
Si8902AEDBwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 24 V (D-S) MOSFET, Common DrainFEATURESMICRO FOOT 2.4 x 1.6S1 TrenchFET power MOSFET2G13 Small 2.4 mm x 1.6 mm outlineS24 Thin 0.6 mm max. height Typical ESD protection 5000 V (HBM)1S16 Material categorization: for definitions ofG25compliance please see www.vishay.com/doc?999121S2
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: STB60NF10 | BLM2301 | IPD200N15N3 | UPA1901 | IRF3707SPBF | 2SK2190 | TSM4ND50CP
History: STB60NF10 | BLM2301 | IPD200N15N3 | UPA1901 | IRF3707SPBF | 2SK2190 | TSM4ND50CP
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc1079 | 2sc1815 equivalent | 2sa1220 | 2sa940 | 2sc627 | 2sc680 | 2sd234 | 2sc9014