SI8902AEDB. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SI8902AEDB
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 24 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 3500 ns
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
Тип корпуса: MICRO-FOOT2.4X1.6
Аналог (замена) для SI8902AEDB
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SI8902AEDB даташит
si8902aedb.pdf
Si8902AEDB www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 24 V (D-S) MOSFET, Common Drain FEATURES MICRO FOOT 2.4 x 1.6 S1 TrenchFET power MOSFET 2 G1 3 Small 2.4 mm x 1.6 mm outline S2 4 Thin 0.6 mm max. height Typical ESD protection 5000 V (HBM) 1 S1 6 Material categorization for definitions of G2 5 compliance please see www.vishay.com/doc?99912 1 S2
Другие MOSFET... SI7113ADN , SI7153DN , SI7218DN , SI7615CDN , SI7900AEDN , SI7972DP , SI8823EDB , SI8824EDB , AO3407 , SIA445EDJT , SIA465EDJ , SIA468DJ , SIA469DJ , SIA472EDJ , SIA918EDJ , SIA923AEDJ , SIHA21N60EF .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
2sc1079 | 2sc1815 equivalent | 2sa1220 | 2sa940 | 2sc627 | 2sc680 | 2sd234 | 2sc9014