SIA472EDJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIA472EDJ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 19.2 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 12 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de subida (tr): 23 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 132 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.02 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-363 SC-70-6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIA472EDJ
SIA472EDJ Datasheet (PDF)
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SiA472EDJwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) a Qg (TYP.) Thermally enhanced PowerPAK0.0200 at VGS = 4.5 V 12SC-70 package30 11.6 nC0.0263 at VGS = 2.5 V 12- Small footprint area Typical ESD performance 2500 V HBMPowerPAK SC-70-6L SingleD
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
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Liste
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