SIA472EDJ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIA472EDJ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 19.2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 132 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
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SIA472EDJ datasheet
sia472edj.pdf
SiA472EDJ www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) a Qg (TYP.) Thermally enhanced PowerPAK 0.0200 at VGS = 4.5 V 12 SC-70 package 30 11.6 nC 0.0263 at VGS = 2.5 V 12 - Small footprint area Typical ESD performance 2500 V HBM PowerPAK SC-70-6L Single D
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