SIA472EDJ Todos los transistores

 

SIA472EDJ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIA472EDJ

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 19.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 132 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: SOT-363 SC-70-6

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SIA472EDJ datasheet

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SIA472EDJ

SiA472EDJ www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) a Qg (TYP.) Thermally enhanced PowerPAK 0.0200 at VGS = 4.5 V 12 SC-70 package 30 11.6 nC 0.0263 at VGS = 2.5 V 12 - Small footprint area Typical ESD performance 2500 V HBM PowerPAK SC-70-6L Single D

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History: NTTFS5811NL | LSS65R1K5HT | 2SK1662 | IXFE48N50Q | WM03N86M2 | MTP3N40 | SMN03T80IS

 

 

 

 

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