SIA472EDJ - описание и поиск аналогов

 

SIA472EDJ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SIA472EDJ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 19.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 132 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: SOT-363 SC-70-6

Аналог (замена) для SIA472EDJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIA472EDJ даташит

 ..1. Size:251K  vishay
 sia472edj.pdf pdf_icon

SIA472EDJ

SiA472EDJ www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) a Qg (TYP.) Thermally enhanced PowerPAK 0.0200 at VGS = 4.5 V 12 SC-70 package 30 11.6 nC 0.0263 at VGS = 2.5 V 12 - Small footprint area Typical ESD performance 2500 V HBM PowerPAK SC-70-6L Single D

Другие MOSFET... SI7972DP , SI8823EDB , SI8824EDB , SI8902AEDB , SIA445EDJT , SIA465EDJ , SIA468DJ , SIA469DJ , STF13NM60N , SIA918EDJ , SIA923AEDJ , SIHA21N60EF , SIHA22N60AE , SIHA22N60AEL , SIHD4N80E , SIHG17N80E , SIHG70N60EF .

History: H10N60E | IXFE39N90 | LSB60R280HT | 2SK161 | NCEP60T18 | 2SK1566

 

 

 

 

↑ Back to Top
.