Справочник MOSFET. SIA472EDJ

 

SIA472EDJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIA472EDJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 19.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 132 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363 SC-70-6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SIA472EDJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:251K  vishay
 sia472edj.pdf pdf_icon

SIA472EDJ

SiA472EDJwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) a Qg (TYP.) Thermally enhanced PowerPAK0.0200 at VGS = 4.5 V 12SC-70 package30 11.6 nC0.0263 at VGS = 2.5 V 12- Small footprint area Typical ESD performance 2500 V HBMPowerPAK SC-70-6L SingleD

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FDS8928A | AP4604IN | 2SK1637 | 2SK1471 | STD14NM50N | IRLSZ34A | IRL8113LPBF

 

 
Back to Top

 


 
.