Справочник MOSFET. SIA472EDJ

 

SIA472EDJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIA472EDJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 19.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 132 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363 SC-70-6
 

 Аналог (замена) для SIA472EDJ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIA472EDJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:251K  vishay
 sia472edj.pdf pdf_icon

SIA472EDJ

SiA472EDJwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) a Qg (TYP.) Thermally enhanced PowerPAK0.0200 at VGS = 4.5 V 12SC-70 package30 11.6 nC0.0263 at VGS = 2.5 V 12- Small footprint area Typical ESD performance 2500 V HBMPowerPAK SC-70-6L SingleD

Другие MOSFET... SI7972DP , SI8823EDB , SI8824EDB , SI8902AEDB , SIA445EDJT , SIA465EDJ , SIA468DJ , SIA469DJ , IRF2807 , SIA918EDJ , SIA923AEDJ , SIHA21N60EF , SIHA22N60AE , SIHA22N60AEL , SIHD4N80E , SIHG17N80E , SIHG70N60EF .

History: IPD80R2K8CE | TJ150F04M3L | IPP80N06S2L-H5 | SIF2N60D | 12N60A | 2N6806 | FQA46N15F109

 

 
Back to Top

 


 
.