SIA918EDJ Todos los transistores

 

SIA918EDJ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIA918EDJ

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 7.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.058 Ohm

Encapsulados: SOT-363 SC-70-6

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SIA918EDJ datasheet

 ..1. Size:378K  vishay
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SIA918EDJ

SiA918EDJ www.vishay.com Vishay Siliconix Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) MAX. ID (A) Qg (TYP.) Thermally enhanced PowerPAK SC-70 package 0.058 at VGS = 4.5 V 4.5 a - Small footprint area 30 0.065 at VGS = 2.5 V 4.5 a 3.6 nC - Low on-resistance Typical ESD protection 1000 V (HBM) 0.077 at

 9.1. Size:280K  vishay
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SIA918EDJ

SiA914ADJ www.vishay.com Vishay Siliconix Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A)a Qg (Typ.) Thermally Enhanced PowerPAK 0.043 at VGS = 4.5 V 4.5 SC-70 Package 0.045 at VGS = 3.7 V 4.5 - Small Footprint Area 20 3.5 nC 0.050 at VGS = 2.5 V 4.5 - Low On-Resistance 0.063 at VGS = 1.8 V 4

 9.2. Size:225K  vishay
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SIA918EDJ

New Product SiA914DJ Vishay Siliconix Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.053 at VGS = 4.5 V 4.5 New Thermally Enhanced PowerPAK RoHS COMPLIANT SC-70 Package 0.063 at VGS = 2.5 V 20 4.5 4.1 nC - Small Footprint Area 0.077 at VGS = 1.8 V 4.5 - Low On-Resi

 9.3. Size:192K  vishay
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SIA918EDJ

New Product SiA913ADJ Vishay Siliconix Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.061 at VGS = - 4.5 V - 4.5a New Thermally Enhanced PowerPAK 0.081 at VGS = - 2.5 V - 12 - 4.5a 8.2 nC SC-70 Package 0.115 at VGS = - 1.8 V - Small Footprint

Otros transistores... SI8823EDB , SI8824EDB , SI8902AEDB , SIA445EDJT , SIA465EDJ , SIA468DJ , SIA469DJ , SIA472EDJ , IRFZ24N , SIA923AEDJ , SIHA21N60EF , SIHA22N60AE , SIHA22N60AEL , SIHD4N80E , SIHG17N80E , SIHG70N60EF , SIHH180N60E .

History: SPB80N06S2-09 | SWP70N10V | TPCP8001-H | SE472

 

 

 

 

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