SIHD4N80E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIHD4N80E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 69 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 34 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.27 Ohm
Encapsulados: TO-252
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SIHD4N80E datasheet
sihd4n80e.pdf
SiHD4N80E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES D Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg DPAK (TO-252) Low input capacitance (Ciss) Reduced switching and conduction losses D G Ultra low gate charge (Qg) Avalanche energy rated (UIS) S Material categorization for definitions of compliance G please see www.vishay.com/doc?99912 S N-Cha
sihd4n80e.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor SiHD4N80E FEATURES Drain Current I = 4.3A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 800V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R 1.27 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Ultra Low On-resistance Fast Switching ABSOLUTE MAXIM
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History: GMP3205 | ZXMN6A11ZTA-P
History: GMP3205 | ZXMN6A11ZTA-P
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