SIHD4N80E Todos los transistores

 

SIHD4N80E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIHD4N80E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 69 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 34 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.27 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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SIHD4N80E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:128K  vishay
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SIHD4N80E

SiHD4N80Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESD Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgDPAK (TO-252) Low input capacitance (Ciss) Reduced switching and conduction lossesDG Ultra low gate charge (Qg) Avalanche energy rated (UIS)S Material categorization: for definitions of complianceGplease see www.vishay.com/doc?99912SN-Cha

 ..2. Size:292K  inchange semiconductor
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SIHD4N80E

isc N-Channel MOSFET Transistor SiHD4N80EFEATURESDrain Current I = 4.3A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 800V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R : 1.27(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONUltra Low On-resistanceFast SwitchingABSOLUTE MAXIM

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History: SML100C4 | SWC1N60

 

 
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