SIHD4N80E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SIHD4N80E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 34 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.27 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для SIHD4N80E
SIHD4N80E Datasheet (PDF)
sihd4n80e.pdf

SiHD4N80Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESD Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgDPAK (TO-252) Low input capacitance (Ciss) Reduced switching and conduction lossesDG Ultra low gate charge (Qg) Avalanche energy rated (UIS)S Material categorization: for definitions of complianceGplease see www.vishay.com/doc?99912SN-Cha
sihd4n80e.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor SiHD4N80EFEATURESDrain Current I = 4.3A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 800V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R : 1.27(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONUltra Low On-resistanceFast SwitchingABSOLUTE MAXIM
Другие MOSFET... SIA468DJ , SIA469DJ , SIA472EDJ , SIA918EDJ , SIA923AEDJ , SIHA21N60EF , SIHA22N60AE , SIHA22N60AEL , RU6888R , SIHG17N80E , SIHG70N60EF , SIHH180N60E , SIHH27N60EF , SIHP11N80E , SIHP120N60E , SIHP17N80E , SIHP25N60EFL .
History: GKI04048 | SFF75N10 | SEF40604 | SSF7509B
History: GKI04048 | SFF75N10 | SEF40604 | SSF7509B



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
2sc1815 datasheet | mj15015 | 13003 transistor datasheet | 2n3416 | bdx53c | k3563 | d882p | 2sb1560