Справочник MOSFET. SIHD4N80E

 

SIHD4N80E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHD4N80E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 34 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.27 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для SIHD4N80E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHD4N80E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:128K  vishay
 sihd4n80e.pdf pdf_icon

SIHD4N80E

SiHD4N80Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESD Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgDPAK (TO-252) Low input capacitance (Ciss) Reduced switching and conduction lossesDG Ultra low gate charge (Qg) Avalanche energy rated (UIS)S Material categorization: for definitions of complianceGplease see www.vishay.com/doc?99912SN-Cha

 ..2. Size:292K  inchange semiconductor
 sihd4n80e.pdf pdf_icon

SIHD4N80E

isc N-Channel MOSFET Transistor SiHD4N80EFEATURESDrain Current I = 4.3A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 800V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R : 1.27(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONUltra Low On-resistanceFast SwitchingABSOLUTE MAXIM

Другие MOSFET... SIA468DJ , SIA469DJ , SIA472EDJ , SIA918EDJ , SIA923AEDJ , SIHA21N60EF , SIHA22N60AE , SIHA22N60AEL , RU6888R , SIHG17N80E , SIHG70N60EF , SIHH180N60E , SIHH27N60EF , SIHP11N80E , SIHP120N60E , SIHP17N80E , SIHP25N60EFL .

History: IRL520LPBF | AP9987GH | STI11NM60ND

 

 
Back to Top

 


 
.