SIHD4N80E MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SIHD4N80E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 16 nC
trⓘ - Время нарастания: 7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 34 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.27 Ohm
Тип корпуса: TO-252
SIHD4N80E Datasheet (PDF)
sihd4n80e.pdf
SiHD4N80Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESD Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgDPAK (TO-252) Low input capacitance (Ciss) Reduced switching and conduction lossesDG Ultra low gate charge (Qg) Avalanche energy rated (UIS)S Material categorization: for definitions of complianceGplease see www.vishay.com/doc?99912SN-Cha
sihd4n80e.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor SiHD4N80EFEATURESDrain Current I = 4.3A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 800V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R : 1.27(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONUltra Low On-resistanceFast SwitchingABSOLUTE MAXIM
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD | SRN1660F