SIHG70N60EF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIHG70N60EF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 520 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 107 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 378 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247AC
Búsqueda de reemplazo de SIHG70N60EF MOSFET
SIHG70N60EF Datasheet (PDF)
sihg70n60ef.pdf
SiHG70N60EFwww.vishay.comVishay SiliconixEF Series Power MOSFET with Fast Body DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Fast body diode MOSFET using E series VDS (V) at TJ max. 650 technology Reduced trr, Qrr, and IRRMRDS(on) typ. at 25 C () VGS = 10 V 0.033 Low figure-of-merit (FOM): Ron x QgQg (Max.) (nC) 380 Low input capacitance (Ciss)Qgs (nC) 62 Increase
sihg73n60e.pdf
SiHG73N60Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgVDS (V) at TJ max. 650 Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.039 Reduced switching and conduction lossesQg max. (nC) 362 Ultra low gate charge (Qg)Qgs (nC) 48Available Avalanche energy rated (UIS)Qgd
Otros transistores... SIA472EDJ , SIA918EDJ , SIA923AEDJ , SIHA21N60EF , SIHA22N60AE , SIHA22N60AEL , SIHD4N80E , SIHG17N80E , IRFZ48N , SIHH180N60E , SIHH27N60EF , SIHP11N80E , SIHP120N60E , SIHP17N80E , SIHP25N60EFL , SIR164ADP , SIR182DP .
History: 2SK1750-Z | PM2301
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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