SIHG70N60EF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIHG70N60EF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 520 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 107 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 378 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm
Encapsulados: TO-247AC
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SIHG70N60EF datasheet
sihg70n60ef.pdf
SiHG70N60EF www.vishay.com Vishay Siliconix EF Series Power MOSFET with Fast Body Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Fast body diode MOSFET using E series VDS (V) at TJ max. 650 technology Reduced trr, Qrr, and IRRM RDS(on) typ. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.033 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Qg (Max.) (nC) 380 Low input capacitance (Ciss) Qgs (nC) 62 Increase
sihg73n60e.pdf
SiHG73N60E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 650 Low input capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.039 Reduced switching and conduction losses Qg max. (nC) 362 Ultra low gate charge (Qg) Qgs (nC) 48 Available Avalanche energy rated (UIS) Qgd
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