SIHG70N60EF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIHG70N60EF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 520 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 70 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 253 nC
Tiempo de subida (tr): 107 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 378 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.038 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247AC
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIHG70N60EF
SIHG70N60EF Datasheet (PDF)
sihg70n60ef.pdf
SiHG70N60EFwww.vishay.comVishay SiliconixEF Series Power MOSFET with Fast Body DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Fast body diode MOSFET using E series VDS (V) at TJ max. 650 technology Reduced trr, Qrr, and IRRMRDS(on) typ. at 25 C () VGS = 10 V 0.033 Low figure-of-merit (FOM): Ron x QgQg (Max.) (nC) 380 Low input capacitance (Ciss)Qgs (nC) 62 Increase
sihg73n60e.pdf
SiHG73N60Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgVDS (V) at TJ max. 650 Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.039 Reduced switching and conduction lossesQg max. (nC) 362 Ultra low gate charge (Qg)Qgs (nC) 48Available Avalanche energy rated (UIS)Qgd
Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
