SIHG70N60EF - описание и поиск аналогов

 

SIHG70N60EF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SIHG70N60EF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 520 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 107 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 378 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm

Тип корпуса: TO-247AC

Аналог (замена) для SIHG70N60EF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHG70N60EF даташит

 ..1. Size:187K  vishay
 sihg70n60ef.pdf pdf_icon

SIHG70N60EF

SiHG70N60EF www.vishay.com Vishay Siliconix EF Series Power MOSFET with Fast Body Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Fast body diode MOSFET using E series VDS (V) at TJ max. 650 technology Reduced trr, Qrr, and IRRM RDS(on) typ. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.033 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Qg (Max.) (nC) 380 Low input capacitance (Ciss) Qgs (nC) 62 Increase

 9.1. Size:184K  vishay
 sihg73n60e.pdf pdf_icon

SIHG70N60EF

SiHG73N60E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 650 Low input capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.039 Reduced switching and conduction losses Qg max. (nC) 362 Ultra low gate charge (Qg) Qgs (nC) 48 Available Avalanche energy rated (UIS) Qgd

Другие MOSFET... SIA472EDJ , SIA918EDJ , SIA923AEDJ , SIHA21N60EF , SIHA22N60AE , SIHA22N60AEL , SIHD4N80E , SIHG17N80E , STP65NF06 , SIHH180N60E , SIHH27N60EF , SIHP11N80E , SIHP120N60E , SIHP17N80E , SIHP25N60EFL , SIR164ADP , SIR182DP .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.