SIHH27N60EF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIHH27N60EF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 202 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 29 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 63 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
Encapsulados: POWERPAK-8X8
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SIHH27N60EF datasheet
sihh27n60ef.pdf
SiHH27N60EF www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET With Fast Body Diode FEATURES Pin 4 Completely lead (Pb)-free device PowerPAK 8 x 8 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Pin 1 Low input capacitance (Ciss) 4 Reduced switching and conduction losses Pin 2 1 Ultra low gate charge (Qg) 2 Avalanche energy rated (UIS) 3 3 Pin 3 Kelvin co
sihh21n60e.pdf
SiHH21N60E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Fully lead (Pb)-free device VDS (V) at TJ max. 650 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg RDS(on) typ. ( ) at 25 C VGS = 10 V 0.153 Low input capacitance (Ciss) Qg max. (nC) 83 Reduced switching and conduction losses Qgs (nC) 11 Qgd (nC) 20 Ultra low gate charge (Qg) Conf
sihh26n60e.pdf
SiHH26N60E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Fully lead (Pb)-free device VDS (V) at TJ max. 650 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg RDS(on) typ. ( ) at 25 C VGS = 10 V 0.117 Low input capacitance (Ciss) Qg max. (nC) 116 Reduced switching and conduction losses Qgs (nC) 18 Qgd (nC) 33 Ultra low gate charge (Qg) Con
Otros transistores... SIA923AEDJ , SIHA21N60EF , SIHA22N60AE , SIHA22N60AEL , SIHD4N80E , SIHG17N80E , SIHG70N60EF , SIHH180N60E , 7N60 , SIHP11N80E , SIHP120N60E , SIHP17N80E , SIHP25N60EFL , SIR164ADP , SIR182DP , SIR610DP , SIR624DP .
History: FDS8949F085
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