SIHH27N60EF. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SIHH27N60EF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 202 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 29 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 63 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
Тип корпуса: POWERPAK-8X8
Аналог (замена) для SIHH27N60EF
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SIHH27N60EF даташит
sihh27n60ef.pdf
SiHH27N60EF www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET With Fast Body Diode FEATURES Pin 4 Completely lead (Pb)-free device PowerPAK 8 x 8 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Pin 1 Low input capacitance (Ciss) 4 Reduced switching and conduction losses Pin 2 1 Ultra low gate charge (Qg) 2 Avalanche energy rated (UIS) 3 3 Pin 3 Kelvin co
sihh21n60e.pdf
SiHH21N60E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Fully lead (Pb)-free device VDS (V) at TJ max. 650 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg RDS(on) typ. ( ) at 25 C VGS = 10 V 0.153 Low input capacitance (Ciss) Qg max. (nC) 83 Reduced switching and conduction losses Qgs (nC) 11 Qgd (nC) 20 Ultra low gate charge (Qg) Conf
sihh26n60e.pdf
SiHH26N60E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Fully lead (Pb)-free device VDS (V) at TJ max. 650 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg RDS(on) typ. ( ) at 25 C VGS = 10 V 0.117 Low input capacitance (Ciss) Qg max. (nC) 116 Reduced switching and conduction losses Qgs (nC) 18 Qgd (nC) 33 Ultra low gate charge (Qg) Con
Другие MOSFET... SIA923AEDJ , SIHA21N60EF , SIHA22N60AE , SIHA22N60AEL , SIHD4N80E , SIHG17N80E , SIHG70N60EF , SIHH180N60E , 7N60 , SIHP11N80E , SIHP120N60E , SIHP17N80E , SIHP25N60EFL , SIR164ADP , SIR182DP , SIR610DP , SIR624DP .
History: LPSA3481 | APM4835 | SGB100N042
History: LPSA3481 | APM4835 | SGB100N042
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
bdx53c | k3563 | d882p | 2sb1560 | 2n1304 | 2sa979 | 2sc4793 | d965



