SIR164ADP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIR164ADP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 5 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 35.9 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.2 V
Carga de la puerta (Qg): 51 nC
Tiempo de subida (tr): 10 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1040 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0022 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIR164ADP
SIR164ADP Datasheet (PDF)
sir164adp.pdf
SiR164ADPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8 SingleD TrenchFET Gen IV power MOSFETD 8 100 % Rg and UIS testedD 7D 6 Material categorization:5for definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?999121APPLICATIONSD2 S Synchronous rectification3 S4 S1 High power density DC/DCGTop
sir164dp.pdf
New ProductSiR164DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.)Definition0.0025 at VGS = 10 V 50 TrenchFET Gen III Power MOSFET30 40.6 nC New MOSFET Technology Optimized for 0.0032 at VGS = 4.5 V 50Ringing Reduction in Switching Application Powe
sir166dp.pdf
New ProductSiR166DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARY FEATURESVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) Halogen-free According to IEC 61249-2-21Definition0.0032 at VGS = 10 V 40g30 25 nC TrenchFET Power MOSFET0.0040 at VGS = 4.5 V 40g 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK
sir168dp.pdf
SiR168DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0044 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET4030 24.5 nC 100 % Rg Tested0.0059 at VGS = 4.5 V 40 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK SO-8APPLICATIONS
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: VS40200AP
