SIR164ADP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIR164ADP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1040 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0022 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для SIR164ADP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIR164ADP даташит

 ..1. Size:207K  vishay
 sir164adp.pdf pdf_icon

SIR164ADP

SiR164ADP www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PowerPAK SO-8 Single D TrenchFET Gen IV power MOSFET D 8 100 % Rg and UIS tested D 7 D 6 Material categorization 5 for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 1 APPLICATIONS D 2 S Synchronous rectification 3 S 4 S 1 High power density DC/DC G Top

 8.1. Size:306K  vishay
 sir164dp.pdf pdf_icon

SIR164ADP

New Product SiR164DP Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ.) Definition 0.0025 at VGS = 10 V 50 TrenchFET Gen III Power MOSFET 30 40.6 nC New MOSFET Technology Optimized for 0.0032 at VGS = 4.5 V 50 Ringing Reduction in Switching Application Powe

 9.1. Size:108K  vishay
 sir166dp.pdf pdf_icon

SIR164ADP

New Product SiR166DP Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY FEATURES VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition 0.0032 at VGS = 10 V 40g 30 25 nC TrenchFET Power MOSFET 0.0040 at VGS = 4.5 V 40g 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC PowerPAK

 9.2. Size:487K  vishay
 sir168dp.pdf pdf_icon

SIR164ADP

SiR168DP Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0044 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET 40 30 24.5 nC 100 % Rg Tested 0.0059 at VGS = 4.5 V 40 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC PowerPAK SO-8 APPLICATIONS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SIHG17N80E, SIHG70N60EF, SIHH180N60E, SIHH27N60EF, SIHP11N80E, SIHP120N60E, SIHP17N80E, SIHP25N60EFL, IRF9640, SIR182DP, SIR610DP, SIR624DP, SIR626DP, SIR638DP, SIR680DP, SIR688DP, SIR690DP