Справочник MOSFET. SIR164ADP

 

SIR164ADP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIR164ADP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1040 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0022 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SIR164ADP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIR164ADP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:207K  vishay
 sir164adp.pdf pdf_icon

SIR164ADP

SiR164ADPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8 SingleD TrenchFET Gen IV power MOSFETD 8 100 % Rg and UIS testedD 7D 6 Material categorization:5for definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?999121APPLICATIONSD2 S Synchronous rectification3 S4 S1 High power density DC/DCGTop

 8.1. Size:306K  vishay
 sir164dp.pdf pdf_icon

SIR164ADP

New ProductSiR164DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.)Definition0.0025 at VGS = 10 V 50 TrenchFET Gen III Power MOSFET30 40.6 nC New MOSFET Technology Optimized for 0.0032 at VGS = 4.5 V 50Ringing Reduction in Switching Application Powe

 9.1. Size:108K  vishay
 sir166dp.pdf pdf_icon

SIR164ADP

New ProductSiR166DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARY FEATURESVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) Halogen-free According to IEC 61249-2-21Definition0.0032 at VGS = 10 V 40g30 25 nC TrenchFET Power MOSFET0.0040 at VGS = 4.5 V 40g 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK

 9.2. Size:487K  vishay
 sir168dp.pdf pdf_icon

SIR164ADP

SiR168DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0044 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET4030 24.5 nC 100 % Rg Tested0.0059 at VGS = 4.5 V 40 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK SO-8APPLICATIONS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SIHG17N80E , SIHG70N60EF , SIHH180N60E , SIHH27N60EF , SIHP11N80E , SIHP120N60E , SIHP17N80E , SIHP25N60EFL , AON7403 , SIR182DP , SIR610DP , SIR624DP , SIR626DP , SIR638DP , SIR680DP , SIR688DP , SIR690DP .

 

 
Back to Top

 


 
.