SIR182DP Todos los transistores

 

SIR182DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIR182DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 31.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 840 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0028 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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SIR182DP Datasheet (PDF)

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SIR182DP

SiR182DPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8 SingleD TrenchFET Gen IV power MOSFETD 8D 7 Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)D 65 Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM 100 % Rg and UIS tested Material categorization: for definitions of 1compliance please see www.vishay.com/doc?999122 S3 S4 S1

Otros transistores... SIHG70N60EF , SIHH180N60E , SIHH27N60EF , SIHP11N80E , SIHP120N60E , SIHP17N80E , SIHP25N60EFL , SIR164ADP , 8N60 , SIR610DP , SIR624DP , SIR626DP , SIR638DP , SIR680DP , SIR688DP , SIR690DP , SIR871DP .

History: NCEP045N10F | JST60N30T2 | IPN70R1K0CE | BUK436-800A | SFG10R20PF | FDMS5362LF085 | SFP033N85C3

 

 
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