Справочник MOSFET. SIR182DP

 

SIR182DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIR182DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 840 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SIR182DP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIR182DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:349K  vishay
 sir182dp.pdf pdf_icon

SIR182DP

SiR182DPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8 SingleD TrenchFET Gen IV power MOSFETD 8D 7 Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)D 65 Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM 100 % Rg and UIS tested Material categorization: for definitions of 1compliance please see www.vishay.com/doc?999122 S3 S4 S1

Другие MOSFET... SIHG70N60EF , SIHH180N60E , SIHH27N60EF , SIHP11N80E , SIHP120N60E , SIHP17N80E , SIHP25N60EFL , SIR164ADP , 8N60 , SIR610DP , SIR624DP , SIR626DP , SIR638DP , SIR680DP , SIR688DP , SIR690DP , SIR871DP .

History: NCEAP055N12D | WMJ12N100C2

 

 
Back to Top

 


 
.