FDD5353 Todos los transistores

 

FDD5353 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDD5353
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 69 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0123 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252 DPAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

FDD5353 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:286K  fairchild semi
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FDD5353

March 2008FDD5353tmN-Channel Power Trench MOSFET 60V, 50A, 12.3mFeatures General Description Max rDS(on) = 12.3m at VGS = 10V, ID = 10.7A This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductors advanced Power Trench process that has Max rDS(on) = 15.4m at VGS = 4.5V, ID = 9.5Abeen especially tailored to minimize the on-state resistance and 100% UIL

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History: SI3477DV-T1-GE3 | PM567EA | STW48N60DM2 | ITP09N50A | HAT2085T | IRHMK57260SE | IXTC230N085T

 

 
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