FDD5353 Todos los transistores

 

FDD5353 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDD5353
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 69 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0123 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252 DPAK
 

 Búsqueda de reemplazo de FDD5353 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FDD5353 datasheet

 ..1. Size:286K  fairchild semi
 fdd5353.pdf pdf_icon

FDD5353

March 2008 FDD5353 tm N-Channel Power Trench MOSFET 60V, 50A, 12.3m Features General Description Max rDS(on) = 12.3m at VGS = 10V, ID = 10.7A This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor s advanced Power Trench process that has Max rDS(on) = 15.4m at VGS = 4.5V, ID = 9.5A been especially tailored to minimize the on-state resistance and 100% UIL

Otros transistores... STT622S , FDD3N50NZ , FDD4141 , FDD4141F085 , FDD4243 , FDD4243F085 , FDD4685 , FDD4685F085 , AON7403 , FDD5612 , FDD5614P , FDD5670 , FDD5810F085 , FDD5N50 , FDD5N50F , FDD5N50NZ , FDD5N50NZF .

History: BLF6G13LS-250P | BLF6G20-110

 

 

 


 
↑ Back to Top
.