Справочник MOSFET. FDD5353

 

FDD5353 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FDD5353
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0123 Ohm
   Тип корпуса: TO252 DPAK

 Аналог (замена) для FDD5353

 

 

FDD5353 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:286K  fairchild semi
 fdd5353.pdf

FDD5353 FDD5353

March 2008FDD5353tmN-Channel Power Trench MOSFET 60V, 50A, 12.3mFeatures General Description Max rDS(on) = 12.3m at VGS = 10V, ID = 10.7A This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductors advanced Power Trench process that has Max rDS(on) = 15.4m at VGS = 4.5V, ID = 9.5Abeen especially tailored to minimize the on-state resistance and 100% UIL

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top