FDD5353 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FDD5353
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 69 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 50 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 46 nC
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0123 Ohm
Тип корпуса: TO252 DPAK
FDD5353 Datasheet (PDF)
..1. Size:286K fairchild semi
fdd5353.pdf
fdd5353.pdf
March 2008FDD5353tmN-Channel Power Trench MOSFET 60V, 50A, 12.3mFeatures General Description Max rDS(on) = 12.3m at VGS = 10V, ID = 10.7A This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductors advanced Power Trench process that has Max rDS(on) = 15.4m at VGS = 4.5V, ID = 9.5Abeen especially tailored to minimize the on-state resistance and 100% UIL
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
