FDD5353 - аналоги и даташиты транзистора

 

FDD5353 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FDD5353
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0123 Ohm
   Тип корпуса: TO252 DPAK
 

 Аналог (замена) для FDD5353

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDD5353 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:286K  fairchild semi
 fdd5353.pdf pdf_icon

FDD5353

March 2008FDD5353tmN-Channel Power Trench MOSFET 60V, 50A, 12.3mFeatures General Description Max rDS(on) = 12.3m at VGS = 10V, ID = 10.7A This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductors advanced Power Trench process that has Max rDS(on) = 15.4m at VGS = 4.5V, ID = 9.5Abeen especially tailored to minimize the on-state resistance and 100% UIL

Другие MOSFET... STT622S , FDD3N50NZ , FDD4141 , FDD4141F085 , FDD4243 , FDD4243F085 , FDD4685 , FDD4685F085 , EMB04N03H , FDD5612 , FDD5614P , FDD5670 , FDD5810F085 , FDD5N50 , FDD5N50F , FDD5N50NZ , FDD5N50NZF .

History: CSD25404Q3 | FDD5N50U | IRF7207 | IRF1010EZPBF | IRF1010ESPBF | AUIRF1010EZS | IRF1010EZS

 

 
Back to Top

 


 
.