FDD5353 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FDD5353  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0123 Ohm

Тип корпуса: TO252 DPAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для FDD5353

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDD5353 даташит

 ..1. Size:286K  fairchild semi
 fdd5353.pdf pdf_icon

FDD5353

March 2008 FDD5353 tm N-Channel Power Trench MOSFET 60V, 50A, 12.3m Features General Description Max rDS(on) = 12.3m at VGS = 10V, ID = 10.7A This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor s advanced Power Trench process that has Max rDS(on) = 15.4m at VGS = 4.5V, ID = 9.5A been especially tailored to minimize the on-state resistance and 100% UIL

Другие IGBT... STT622S, FDD3N50NZ, FDD4141, FDD4141F085, FDD4243, FDD4243F085, FDD4685, FDD4685F085, IRF520, FDD5612, FDD5614P, FDD5670, FDD5810F085, FDD5N50, FDD5N50F, FDD5N50NZ, FDD5N50NZF