SIR624DP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIR624DP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
Encapsulados: SO-8
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SIR624DP datasheet
sir624dp.pdf
SiR624DP www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 200 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY ThunderFET technology optimizes balance VDS (V) RDS(on) ( ) MAX. ID (A) a Qg (TYP.) of RDS(on), Qg, Qsw, and Qoss 0.060 at VGS = 10 V 18.6 200 15 nC 100 % Rg and UIS tested 0.064 at VGS = 7.5 V 18 Material categorization PowerPAK SO-8 Single for definitions of com
sir626dp.pdf
SiR626DP www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PowerPAK SO-8 Single D TrenchFET Gen IV power MOSFET D 8 D 7 Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM) D 6 5 Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM 100 % Rg and UIS tested Material categorization for definitions of 1 compliance please see www.vishay.com/doc?99912 2 S 3 S 4 S 1
Otros transistores... SIHH27N60EF , SIHP11N80E , SIHP120N60E , SIHP17N80E , SIHP25N60EFL , SIR164ADP , SIR182DP , SIR610DP , K2611 , SIR626DP , SIR638DP , SIR680DP , SIR688DP , SIR690DP , SIR871DP , SIR873DP , SIRA01DP .
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