SIR624DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIR624DP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 5 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5.7 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 19.5 nC
Tiempo de subida (tr): 18 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 100 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.06 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIR624DP
SIR624DP Datasheet (PDF)
sir624dp.pdf
SiR624DPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY ThunderFET technology optimizes balance VDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) a Qg (TYP.)of RDS(on), Qg, Qsw, and Qoss0.060 at VGS = 10 V 18.6200 15 nC 100 % Rg and UIS tested0.064 at VGS = 7.5 V 18 Material categorization:PowerPAK SO-8 Singlefor definitions of com
sir626dp.pdf
SiR626DPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8 SingleD TrenchFET Gen IV power MOSFETD 8D 7 Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)D 65 Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM 100 % Rg and UIS tested Material categorization: for definitions of 1compliance please see www.vishay.com/doc?999122 S3 S4 S1
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