SIR624DP Todos los transistores

 

SIR624DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIR624DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

 Búsqueda de reemplazo de SIR624DP MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SIR624DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:412K  vishay
 sir624dp.pdf pdf_icon

SIR624DP

SiR624DPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY ThunderFET technology optimizes balance VDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) a Qg (TYP.)of RDS(on), Qg, Qsw, and Qoss0.060 at VGS = 10 V 18.6200 15 nC 100 % Rg and UIS tested0.064 at VGS = 7.5 V 18 Material categorization:PowerPAK SO-8 Singlefor definitions of com

 9.1. Size:404K  vishay
 sir626dp.pdf pdf_icon

SIR624DP

SiR626DPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8 SingleD TrenchFET Gen IV power MOSFETD 8D 7 Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)D 65 Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM 100 % Rg and UIS tested Material categorization: for definitions of 1compliance please see www.vishay.com/doc?999122 S3 S4 S1

Otros transistores... SIHH27N60EF , SIHP11N80E , SIHP120N60E , SIHP17N80E , SIHP25N60EFL , SIR164ADP , SIR182DP , SIR610DP , IRFZ48N , SIR626DP , SIR638DP , SIR680DP , SIR688DP , SIR690DP , SIR871DP , SIR873DP , SIRA01DP .

History: 2SK2027-01 | VBZM60N06 | IRFPE50 | TK19A45D | NTDV20N06 | CS12N65FF

 

 
Back to Top

 


 
.