Справочник MOSFET. SIR624DP

 

SIR624DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIR624DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SIR624DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:412K  vishay
 sir624dp.pdf pdf_icon

SIR624DP

SiR624DPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY ThunderFET technology optimizes balance VDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) a Qg (TYP.)of RDS(on), Qg, Qsw, and Qoss0.060 at VGS = 10 V 18.6200 15 nC 100 % Rg and UIS tested0.064 at VGS = 7.5 V 18 Material categorization:PowerPAK SO-8 Singlefor definitions of com

 9.1. Size:404K  vishay
 sir626dp.pdf pdf_icon

SIR624DP

SiR626DPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8 SingleD TrenchFET Gen IV power MOSFETD 8D 7 Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)D 65 Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM 100 % Rg and UIS tested Material categorization: for definitions of 1compliance please see www.vishay.com/doc?999122 S3 S4 S1

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: CS740 | 2N60L-TMS-T | STP5NB40 | IRL8113S | 2SK3402-ZK | WSD45P10DN56 | 2SK3532

 

 
Back to Top

 


 
.