SIR688DP Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIR688DP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 29.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1345 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm

Encapsulados: SO-8

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SIR688DP datasheet

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SIR688DP

SiR688DP Vishay Siliconix N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.0035 at VGS = 10 V 60 Low Qg for High Efficiency 60 0.0045 at VGS = 6 V 60 20.5 nC Material categorization For definitions of compliance please see 0.0060 at VGS = 4.5 V 60 www.vishay.co

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SIR688DP

SiR680DP www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 80 V (D-S) MOSFET FEATURES PowerPAK SO-8 Single D TrenchFET Gen IV power MOSFET D 8 D 7 Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM) D 6 5 Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM 100 % Rg and UIS tested Material categorization for definitions of 1 compliance please see www.vishay.com/doc?99912 2 S 3 S 4 S 1

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