Справочник MOSFET. SIR688DP

 

SIR688DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIR688DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 29.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1345 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SIR688DP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIR688DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:323K  vishay
 sir688dp.pdf pdf_icon

SIR688DP

SiR688DPVishay SiliconixN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0035 at VGS = 10 V 60 Low Qg for High Efficiency60 0.0045 at VGS = 6 V 60 20.5 nC Material categorization:For definitions of compliance please see0.0060 at VGS = 4.5 V 60www.vishay.co

 9.1. Size:402K  vishay
 sir680dp.pdf pdf_icon

SIR688DP

SiR680DPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 80 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8 SingleD TrenchFET Gen IV power MOSFETD 8D 7 Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)D 65 Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM 100 % Rg and UIS tested Material categorization: for definitions of 1compliance please see www.vishay.com/doc?999122 S3 S4 S1

Другие MOSFET... SIHP25N60EFL , SIR164ADP , SIR182DP , SIR610DP , SIR624DP , SIR626DP , SIR638DP , SIR680DP , HY1906P , SIR690DP , SIR871DP , SIR873DP , SIRA01DP , SIRA10BDP , SIRA12BDP , SIRA14BDP , SIRA18ADP .

History: AM10N30-600I | NTMS5P02R2SG | SI4831DY

 

 
Back to Top

 


 
.