SIR690DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIR690DP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 6.25 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 8.4 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 31.9 nC
Tiempo de subida (tr): 19 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 145 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.035 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIR690DP
SIR690DP Datasheet (PDF)
sir690dp.pdf
SiR690DPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8 SingleD ThunderFET technology optimizes balanceD 8of RDS(on), Qg, Qsw and QossD 7D 6 100 % Rg and UIS tested5 Material categorization:for definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?9991212 S3 SAPPLICATIONSD4 S1G DC/DC convertersT
sir698dp.pdf
SiR698DPVishay SiliconixN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Max. ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.195 at VGS = 10 V 7.5 TrenchFET Power MOSFET100 5.2 nC0.230 at VGS = 6 V 6.9 100 % Rg and UIS Tested Low Qg for High EfficiencyPowerPAK SO-8 Compliant to RoHS Directive 2002/9
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