SIR690DP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SIR690DP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для SIR690DP
SIR690DP Datasheet (PDF)
sir690dp.pdf

SiR690DPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8 SingleD ThunderFET technology optimizes balanceD 8of RDS(on), Qg, Qsw and QossD 7D 6 100 % Rg and UIS tested5 Material categorization:for definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?9991212 S3 SAPPLICATIONSD4 S1G DC/DC convertersT
sir698dp.pdf

SiR698DPVishay SiliconixN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Max. ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.195 at VGS = 10 V 7.5 TrenchFET Power MOSFET100 5.2 nC0.230 at VGS = 6 V 6.9 100 % Rg and UIS Tested Low Qg for High EfficiencyPowerPAK SO-8 Compliant to RoHS Directive 2002/9
Другие MOSFET... SIR164ADP , SIR182DP , SIR610DP , SIR624DP , SIR626DP , SIR638DP , SIR680DP , SIR688DP , BS170 , SIR871DP , SIR873DP , SIRA01DP , SIRA10BDP , SIRA12BDP , SIRA14BDP , SIRA18ADP , SIRA24DP .
History: SSF7N60F | 2SK1476 | TK14E65W5 | UTM6016G-S08-R | NTD6416AN-1G | LNC16N60 | 2SJ326-Z
History: SSF7N60F | 2SK1476 | TK14E65W5 | UTM6016G-S08-R | NTD6416AN-1G | LNC16N60 | 2SJ326-Z



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
bf494 | 2sc1885 | skd502t | 2sb754 | 2sc2362 | 2sd468 | c2240 transistor | 2sc1918