Справочник MOSFET. SIR690DP

 

SIR690DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIR690DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SIR690DP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIR690DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1115K  vishay
 sir690dp.pdf pdf_icon

SIR690DP

SiR690DPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8 SingleD ThunderFET technology optimizes balanceD 8of RDS(on), Qg, Qsw and QossD 7D 6 100 % Rg and UIS tested5 Material categorization:for definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?9991212 S3 SAPPLICATIONSD4 S1G DC/DC convertersT

 9.1. Size:319K  vishay
 sir698dp.pdf pdf_icon

SIR690DP

SiR698DPVishay SiliconixN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Max. ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.195 at VGS = 10 V 7.5 TrenchFET Power MOSFET100 5.2 nC0.230 at VGS = 6 V 6.9 100 % Rg and UIS Tested Low Qg for High EfficiencyPowerPAK SO-8 Compliant to RoHS Directive 2002/9

Другие MOSFET... SIR164ADP , SIR182DP , SIR610DP , SIR624DP , SIR626DP , SIR638DP , SIR680DP , SIR688DP , AO3407 , SIR871DP , SIR873DP , SIRA01DP , SIRA10BDP , SIRA12BDP , SIRA14BDP , SIRA18ADP , SIRA24DP .

History: SQ2348ES-T1 | JCS12N65FT | JST60N30T2 | NCEP033N10M | FDMS86250 | FS30AS-06 | NTMD6N02R2

 

 
Back to Top

 


 
.