SIRA26DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIRA26DP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.9 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 29 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 730 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00265 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIRA26DP
SIRA26DP Datasheet (PDF)
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SiRA26DPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 25 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8 SingleD TrenchFET Gen IV power MOSFETD 8 Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces D 7D 6switching related power loss5 100 % Rg and UIS tested Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?9991212 S3 S APPLICATIONS
sira24dp.pdf
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SiRA24DPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 25 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8 SingleD TrenchFET Gen IV power MOSFETD 8 Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces D 7D 6switching related power loss5 100 % Rg and UIS tested Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?9991212 S3 S APPLICATIONS
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Liste
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