SIRA26DP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIRA26DP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 730 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00265 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для SIRA26DP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIRA26DP даташит

 ..1. Size:251K  vishay
 sira26dp.pdf pdf_icon

SIRA26DP

SiRA26DP www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 25 V (D-S) MOSFET FEATURES PowerPAK SO-8 Single D TrenchFET Gen IV power MOSFET D 8 Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces D 7 D 6 switching related power loss 5 100 % Rg and UIS tested Material categorization for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 1 2 S 3 S APPLICATIONS

 9.1. Size:195K  vishay
 sira24dp.pdf pdf_icon

SIRA26DP

SiRA24DP www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 25 V (D-S) MOSFET FEATURES PowerPAK SO-8 Single D TrenchFET Gen IV power MOSFET D 8 Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces D 7 D 6 switching related power loss 5 100 % Rg and UIS tested Material categorization for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 1 2 S 3 S APPLICATIONS

Другие IGBT... SIR871DP, SIR873DP, SIRA01DP, SIRA10BDP, SIRA12BDP, SIRA14BDP, SIRA18ADP, SIRA24DP, 20N60, SIRA32DP, SIRA52DP, SIRA60DP, SIRA64DP, SIRA66DP, SIRA72DP, SIRA84DP, SIRA88DP