Справочник MOSFET. SIRA26DP

 

SIRA26DP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SIRA26DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 29 nC
   trⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 730 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00265 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для SIRA26DP

 

 

SIRA26DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:251K  vishay
 sira26dp.pdf

SIRA26DP SIRA26DP

SiRA26DPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 25 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8 SingleD TrenchFET Gen IV power MOSFETD 8 Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces D 7D 6switching related power loss5 100 % Rg and UIS tested Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?9991212 S3 S APPLICATIONS

 9.1. Size:195K  vishay
 sira24dp.pdf

SIRA26DP SIRA26DP

SiRA24DPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 25 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8 SingleD TrenchFET Gen IV power MOSFETD 8 Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces D 7D 6switching related power loss5 100 % Rg and UIS tested Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?9991212 S3 S APPLICATIONS

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 

Back to Top