Справочник MOSFET. SIRA26DP

 

SIRA26DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIRA26DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 730 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00265 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SIRA26DP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIRA26DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:251K  vishay
 sira26dp.pdf pdf_icon

SIRA26DP

SiRA26DPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 25 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8 SingleD TrenchFET Gen IV power MOSFETD 8 Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces D 7D 6switching related power loss5 100 % Rg and UIS tested Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?9991212 S3 S APPLICATIONS

 9.1. Size:195K  vishay
 sira24dp.pdf pdf_icon

SIRA26DP

SiRA24DPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 25 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8 SingleD TrenchFET Gen IV power MOSFETD 8 Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces D 7D 6switching related power loss5 100 % Rg and UIS tested Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?9991212 S3 S APPLICATIONS

Другие MOSFET... SIR871DP , SIR873DP , SIRA01DP , SIRA10BDP , SIRA12BDP , SIRA14BDP , SIRA18ADP , SIRA24DP , 20N60 , SIRA32DP , SIRA52DP , SIRA60DP , SIRA64DP , SIRA66DP , SIRA72DP , SIRA84DP , SIRA88DP .

History: CRSD082N10L2 | SI7107DN | SI7405BDN | SRT10N047HTF | RU30D8H | IRFAC32 | NTP90N02

 

 
Back to Top

 


 
.