Справочник MOSFET. SIRA26DP

 

SIRA26DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIRA26DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 730 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00265 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SIRA26DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:251K  vishay
 sira26dp.pdf pdf_icon

SIRA26DP

SiRA26DPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 25 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8 SingleD TrenchFET Gen IV power MOSFETD 8 Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces D 7D 6switching related power loss5 100 % Rg and UIS tested Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?9991212 S3 S APPLICATIONS

 9.1. Size:195K  vishay
 sira24dp.pdf pdf_icon

SIRA26DP

SiRA24DPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 25 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8 SingleD TrenchFET Gen IV power MOSFETD 8 Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces D 7D 6switching related power loss5 100 % Rg and UIS tested Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?9991212 S3 S APPLICATIONS

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: BL5N135-P | RT1A060AP | IRFH7932 | IRF7811WPBF | IRF3707SPBF | STT3414 | AO4620

 

 
Back to Top

 


 
.