SIRA52DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIRA52DP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 4.8 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 39.6 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.4 V
Carga de la puerta (Qg): 97.5 nC
Tiempo de subida (tr): 9 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1325 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0017 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIRA52DP
SIRA52DP Datasheet (PDF)
sira52dp.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SiRA52DPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (MAX.) ID (A) a, g Qg (TYP.) Tuned for the lowest RDS-Qoss FOM 0.0017 at VGS = 10 V 6040 47.5 nC 100 % Rg and UIS tested0.0023 at VGS = 4.5 V 60 Qgd / Qgs ratio
Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .