Справочник MOSFET. SIRA52DP

 

SIRA52DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIRA52DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 39.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 97.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1325 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0017 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SIRA52DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:399K  vishay
 sira52dp.pdf pdf_icon

SIRA52DP

SiRA52DPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (MAX.) ID (A) a, g Qg (TYP.) Tuned for the lowest RDS-Qoss FOM 0.0017 at VGS = 10 V 6040 47.5 nC 100 % Rg and UIS tested0.0023 at VGS = 4.5 V 60 Qgd / Qgs ratio

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.