Справочник MOSFET. SIRA52DP

 

SIRA52DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIRA52DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 39.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1325 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0017 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SIRA52DP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIRA52DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:399K  vishay
 sira52dp.pdf pdf_icon

SIRA52DP

SiRA52DPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (MAX.) ID (A) a, g Qg (TYP.) Tuned for the lowest RDS-Qoss FOM 0.0017 at VGS = 10 V 6040 47.5 nC 100 % Rg and UIS tested0.0023 at VGS = 4.5 V 60 Qgd / Qgs ratio

Другие MOSFET... SIRA01DP , SIRA10BDP , SIRA12BDP , SIRA14BDP , SIRA18ADP , SIRA24DP , SIRA26DP , SIRA32DP , IRF540N , SIRA60DP , SIRA64DP , SIRA66DP , SIRA72DP , SIRA84DP , SIRA88DP , SIRA96DP , SIS472BDN .

History: WNMD2167 | WMN26N65SR | STI57N65M5

 

 
Back to Top

 


 
.