SIRA52DP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SIRA52DP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 4.8 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 39.6 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 97.5 nC
Время нарастания (tr): 9 ns
Выходная емкость (Cd): 1325 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0017 Ohm
Тип корпуса: SO-8
SIRA52DP Datasheet (PDF)
..1. Size:399K vishay
sira52dp.pdf
sira52dp.pdf
SiRA52DPwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (MAX.) ID (A) a, g Qg (TYP.) Tuned for the lowest RDS-Qoss FOM 0.0017 at VGS = 10 V 6040 47.5 nC 100 % Rg and UIS tested0.0023 at VGS = 4.5 V 60 Qgd / Qgs ratio
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
