SIRA52DP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIRA52DP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 39.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1325 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0017 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для SIRA52DP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIRA52DP даташит

 ..1. Size:399K  vishay
 sira52dp.pdf pdf_icon

SIRA52DP

SiRA52DP www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 40 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (MAX.) ID (A) a, g Qg (TYP.) Tuned for the lowest RDS-Qoss FOM 0.0017 at VGS = 10 V 60 40 47.5 nC 100 % Rg and UIS tested 0.0023 at VGS = 4.5 V 60 Qgd / Qgs ratio

Другие IGBT... SIRA01DP, SIRA10BDP, SIRA12BDP, SIRA14BDP, SIRA18ADP, SIRA24DP, SIRA26DP, SIRA32DP, IRF540, SIRA60DP, SIRA64DP, SIRA66DP, SIRA72DP, SIRA84DP, SIRA88DP, SIRA96DP, SIS472BDN